[发明专利]切割芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：

切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和

粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，

所述粘合剂层为辐射线固化型粘合剂层，

用于形成所述粘接剂层与所述粘合剂层的界面的、所述粘接剂层的表面及所述粘合剂层的表面能够产生3.5～9mJ/m²的表面自由能差。

2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的所述表面能够具有32mJ/m²以下的表面自由能。

3.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的所述表面的表面自由能为30～45mJ/m²。

4.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层在23℃、剥离角度180°及拉伸速度10mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出0.1～20N/10mm的180°剥离粘合力。

5.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的、对宽度4mm及厚度80μm的粘接剂层试样片在初始夹具间距离10mm、频率10Hz、动态应变±0.5μm、及升温速度5℃/分钟的条件下测定的23℃下的拉伸储能模量为100～4000MPa。

6.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层在23℃及剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中，辐射线固化之前的所述粘合剂层与所述粘接剂层之间的剥离力为2N/20mm以上。

7.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的所述表面的算术平均表面粗糙度与所述粘接剂层的所述表面的算术平均表面粗糙度之差为100nm以下。

8.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，所述丙烯酸类聚合物包含：来源于烷基的碳数为10以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的第1单元及来源于(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的第2单元。

9.根据权利要求8所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸类聚合物中所述第1单元相对于所述第2单元的摩尔比率为1～40。

10.根据权利要求8所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸类聚合物为含不饱和官能团的异氰酸酯化合物的加成产物。

11.根据权利要求10所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸类聚合物中所述含不饱和官能团的异氰酸酯化合物相对于所述第2单元的摩尔比率为0.1以上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层在23℃及剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中，辐射线固化之后的所述粘合剂层与所述粘接剂层之间的剥离力为0.06～0.25N/20mm。

13.根据权利要求12所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的外周端在薄膜面内方向位于距所述粘合剂层的外周端1000μm以内的距离处。

14.根据权利要求1～11中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的外周端在薄膜面内方向位于距所述粘合剂层的外周端1000μm以内的距离处。