[发明专利]一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法有效
| 申请号: | 201810344535.9 | 申请日: | 2018-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN108574054B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
| 发明(设计)人: | 王有为;张嵩;蔡鹏;谢春燕;刘欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区,以及位于所述显示区内部和周边的非显示区;
所述显示面板的基板上设置有隔离柱,且所述隔离柱将所述显示区与所述非显示区之间的发光层隔离开;
所述隔离柱的上方和侧壁被原子层沉积ALD层包裹,所述显示区与所述隔离柱相邻的像素中,薄膜晶体管阵列层的上方设置有所述ALD层,所述ALD层上的发光层与所述显示区的发光层被所述隔离柱隔离开;
所述发光层上设置有封装层,使所述显示区的发光层被所述ALD层和封装层紧密包裹;所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层,所述第一无机阻水层设置于所述发光层上,所述有机缓冲层设置于所述显示区的发光层上,所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱为倒梯形结构。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述ALD层包括氧化硅材质或氧化铝材质。
4.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~3中任一项所述的显示面板,所述显示面板的非显示区包括以下一项或多项:所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
5.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
在显示装置的基板上形成隔离柱,所述隔离柱用于将所述显示装置的显示区与非显示区分隔开;
在所述隔离柱的上方和侧壁形成原子层沉积ALD层,所述ALD层还形成于所述显示区中与所述隔离柱相邻像素的薄膜晶体管阵列层的上表面;
形成所述显示区和所述非显示区的发光层,其中,所述显示区的发光层与所述非显示区中所述ALD层上的发光层被所述隔离柱隔离开;
在所述发光层上形成封装层,所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层,使所述显示区的发光层被所述ALD层和封装层紧密包裹;
所述在所述发光层上形成封装层,包括:
在所述发光层上形成所述第一无机阻水层;
在所述第一无机阻水层位于所述显示区的上方形成所述有机缓冲层;
在所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层上形成所述第二无机阻水层,其中,所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述在显示装置的基板上形成隔离柱之前,所述方法还包括:
在所述基板位于所述显示区的位置形成薄膜晶体管阵列层;
所述在显示装置的基板上形成隔离柱,包括:
通过掩膜工艺在所述基板位于所述显示区和所述非显示区交界的位置形成倒梯形结构的隔离柱。
7.根据权利要求5所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述ALD层为氧化硅材质或氧化铝材质。
8.根据权利要求5~7中任一项显示装置的制作方法,其特征在于,所述非显示区包括以下一项或多项:所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





