[发明专利]一种高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置

权利要求书

1.一种高压晶片的穿通扩散工艺中刻蚀气体的混合装置，其特征在于，按以下步骤进行加工：

1）、晶片氧化：在晶片两侧生长出SiO₂阻挡层；

2）、打胶：在两所述SiO₂阻挡层背向晶片的端面上打上光刻胶，所述光刻胶中具有镂空的预设图案；

3）、开扩散窗口：沿光刻胶的镂空部分在SiO₂阻挡层上刻蚀出与预设图案适配的扩散窗口；

4）、穿通预处理：在晶片的至少一侧端面上刻蚀出位于扩散窗口中的沟槽，或是在晶片的至少一侧端面上通过激光打出位于扩散窗口中的若干均匀分布的深槽；

5）、穿通扩散：分别自晶片两侧的扩散窗口向晶片中扩散P，并使得两侧扩散的P相连通；完毕；

所述混合装置包括罐体、抽气蜗轮和若干混合板，所述罐体的一侧设有若干进气孔、且另一侧设有一出气孔，若干所述混合板均固定连接在罐体中、且相邻混合板之间留有空隙，所述混合板中均匀开设有若干混合孔，所述混合孔呈自进气孔所在的一侧起内径逐渐变小的锥孔状、且相邻所述混合板上的混合孔相交错，所述抽气蜗轮固定连接在罐体中、且位于若干混合板和出气孔之间。

2.根据权利要求1所述的一种高压晶片的穿通扩散工艺中刻蚀气体的混合装置，其特征在于，步骤1）中SiO₂阻挡层的厚度为10000-30000埃。

3.根据权利要求1所述的一种高压晶片的穿通扩散工艺中刻蚀气体的混合装置，其特征在于，步骤4）穿通预处理：在晶片的一侧端面上通过激光打出位于扩散窗口中的若干均匀分布的深槽，所述深槽的深度为200-250μm、且直径为20-60μm，相邻深槽的间距为20-30μm。

4.根据权利要求1所述的一种高压晶片的穿通扩散工艺中刻蚀气体的混合装置，其特征在于，步骤4）穿通预处理：在晶片的两侧端面上刻蚀出位于扩散窗口中的沟槽，单侧刻蚀的深度为50-80μm。

5.根据权利要求1所述的刻蚀气体的混合装置，其特征在于，自进气孔所在的一侧起若干混合板中混合孔的最大孔径逐渐由大变小。