[发明专利]半导体装置封装和其制造方法

权利要求书

1.一种用于封装半导体装置的衬底，其包括：

第一介电层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一介电层包括邻接所述第一表面的第一部分、邻接所述第二表面的第二部分和所述第一部分与所述第二部分之间的加固结构，所述第一介电层的所述第一表面为所述衬底的上表面；

第一图案化导电层，其邻接所述第一介电层的所述第一表面；和

第二图案化导电层，其邻接所述第一介电层的所述第二表面，

其中所述第一图案化导电层的表面面积密度大于所述第二图案化导电层的表面面积密度，

所述第一介电层的所述第一部分的厚度大于所述第一介电层的所述第二部分的厚度，且

所述第一图案化导电层的厚度大体上与所述第二图案化导电层的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中所述加固结构与所述第一图案化导电层和所述第二图案化导电层中的最接近的一个之间的距离为非零值。

3.根据权利要求1所述的衬底，其进一步包括：

第二介电层，其邻接所述第二图案化导电层，所述第二介电层具有第一表面和与所述第二介电层的所述第一表面相对的第二表面，所述第二介电层包括邻接所述第二介电层的所述第一表面的第一部分、邻接所述第二介电层的所述第二表面的第二部分和所述第二介电层的所述第一部分与所述第二介电层的所述第二部分之间的加固结构；和

第三图案化导电层，其邻接所述第二介电层的所述第二表面，

其中所述第二介电层的所述第一部分的厚度不同于所述第二介电层的所述第二部分的厚度。

4.根据权利要求3所述的衬底，其中所述第一图案化导电层比所述第二图案化导电层更接近所述第一介电层的所述加固结构、或所述第二图案化导电层比所述第一图案化导电层更接近所述第一介电层的所述加固结构，且所述第二图案化导电层比所述第三图案化导电层更接近所述第二介电层的所述加固结构、或所述第三图案化导电层比所述第二图案化导电层更接近所述第二介电层的所述加固结构。

5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述加固结构包括玻璃纤维。

6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一图案化导电层内嵌于所述第一介电层中。

7.根据权利要求1所述的衬底，其进一步包括设置在所述第一介电层的所述第一表面上的第一保护层，且所述第一保护层至少部分地覆盖内嵌于所述介电层中的所述第一图案化导电层。

8.根据权利要求1所述的衬底，其进一步包括设置在所述第一介电层的所述第二表面上的第二保护层，并且所述第二保护层至少部分地覆盖所述第二图案化导电层。

9.根据权利要求1或7所述的衬底，其中所述第一图案化导电层是用以设置芯片且与所述芯片电连接。

10.一种用于封装半导体装置的衬底，其包括：

介电层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述介电层包括加固结构，且进一步包括第一部分及第二部分，所述介电层的所述第一表面为所述衬底的上表面；

第一图案化导电层，其邻接所述介电层的所述第一表面；和

第二图案化导电层，其邻接所述介电层的所述第二表面，

其中所述介电层的所述加固结构的中心线偏离所述介电层的中心线，

所述第一图案化导电层的表面面积密度大于所述第二图案化导电层的表面面积密度，

所述介电层的所述第一部分的厚度大于所述介电层的所述第二部分的厚度，且所述第一图案化导电层的厚度大体上与所述第二图案化导电层的厚度相同。

11.根据权利要求10所述的衬底，其中所述加固结构的所述中心线通过非零距离而与所述介电层的所述中心线分离开。

12.根据权利要求10所述的衬底，其中所述第一图案化导电层内嵌于所述介电层中且从所述的衬底的上表面暴露。