[发明专利]一种新型MOSFET驱动电路

说明书

本发明公开一种新型MOSFET驱动电路，包括变压器和整流电路D1，整流电路D1的两个输入端分别与变压器次级线圈的两个输出端连接，电阻R1和稳压电路ZD2串联连接，电容C1和电容C2串联连接，电容C1与电阻R1并联连接，电容C2与稳压电路ZD2并联连接，整流电路D1的输出VCC和输出VEE分别与驱动电路连接并给驱动电路供电，整流电路D1的其中一个输入端通过驱动信号输入电路R2与驱动电路的信号输入端连接，驱动电路的信号输出端与MOSFET的栅级连接，MOSFET的源极分别与电阻R1和稳压电路ZD2之间的电路、电容C1和电容C2之间的电路连接；本发明驱动电路采用信号和供电由同一变压器提供，电路简单，失效率极低，而且可以使得在同一桥臂上的两个MOSFET的占空比没有限制。

技术领域

本发明涉及一种带负压的隔离驱动电路，尤其涉及一种新型MOSFET驱动电路，属于MOSFET驱动电路技术领域。

背景技术

MOSFET在开关电源中被广泛应用，但由于其自身分布电容的原因，在桥式电路中，由上管或下管导通或关断时，易导致同一桥臂上另一管误导通，从而导致上下管同时处于导通状态，进而发生故障，MOSFET，特别是碳化硅SiC MOSFET驱动有负压时，可极大的减小上述风险；目前，大多数带负压的驱动电路主要采用信号和供电分离，如各大品牌的集成驱动电路，造成总体电路复杂，且失效率高，也有部分采用信号和供电合一方式，但其不能确认在同一桥臂上的一个MOSFET被驱动时另一个MOSFET的负压已建立，有的甚至只能在占空比为50%：50%左右正常工作。

发明内容

为解决现有技术的不足，本发明提供一种新型MOSFET驱动电路，驱动电路采用信号和供电分离，且由同一变压器提供，电路简单，失效率极低，而且可以使得在同一桥臂上的两个MOSFET的占空比没有限制。

本发明所采用的技术方案为：

一种新型MOSFET驱动电路，包括变压器、整流电路D1、驱动电路、MOSFET、电阻R1、驱动信号输入电路R2、稳压电路ZD2、电容C1和电容C2，所述整流电路D1的两个输入端分别与变压器次级线圈的两个输出端连接，所述电阻R1和稳压电路ZD2串联连接，且稳压电路ZD2的正极与整流电路D1的输出VEE连接，稳压电路ZD2的负极与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与整流电路D1的输出VCC连接，所述电容C1和电容C2串联连接，且所述电容C1与电阻R1并联连接，所述电容C2与稳压电路ZD2并联连接，所述整流电路D1的输出VCC和输出VEE分别与驱动电路连接并给驱动电路供电，所述整流电路D1的其中一个输入端通过驱动信号输入电路R2与驱动电路的信号输入端连接，驱动电路的信号输出端与MOSFET的栅级连接，MOSFET的源极分别与电阻R1和稳压电路ZD2之间的电路、电容C1和电容C2之间的电路连接。

作为本发明的进一步优选，所述的整流电路D1是一体式的整流桥或由二极管组成。

作为本发明的进一步优选，所述的MOSFET 的型号是Si场效应晶体管、SiC场效应晶体管或GaN场效应晶体管中的任一种。

作为本发明的进一步优选，所述的稳压电路ZD2的电压是由MOSFET所需的负压值来确定。

作为本发明的进一步优选，电容C1和电容C2的电容量是根据VCC和VEE以及驱动电路所需电流和输入信号的周期来确定，具体是：T×Iavg=(0.05∼0.1)× VCC×C1，其中，T为输入信号周期，Iavg为驱动电路平均输入工作电流，C1为C1的电容量；T×Iavg=(0.05∼0.1)×VEE×C2，其中，T为输入信号周期，Iavg为驱动电路平均输入工作电流，C2为C2的电容量；以保证在一个周期内驱动电路有充足的供电。

作为本发明的进一步优选，所述的电容C1和电容C2的电容量相同或不同。