[发明专利]LED晶片的键合方法有效
| 申请号: | 201810340674.4 | 申请日: | 2018-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN108447795B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 牛小龙;徐相英;姜晓飞 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/68;H01L33/00 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
| 地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 晶片 方法 | ||
1.一种LED晶片的键合方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底;
于所述衬底表面生长LED晶片,并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构;
提供一背板;
于所述背板表面布置结合层,并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构;
将所述LED晶片与所述结合层对位,并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合;
其中,所述第一键合结构为凸起,所述第二键合结构为凹陷;或者,所述第一键合结构为凹陷,所述第二键合结构为凸起。
2.如权利要求1所述的键合方法,其特征在于,所述衬底为氧化锌衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、或碳化硅衬底。
3.如权利要求1所述的键合方法,其特征在于,所述结合层为金属或金属氧化物。
4.如权利要求3所述的键合方法,其特征在于,所述结合层为金属铟或氧化铟锡。
5.如权利要求1至4中任一项所述的键合方法,其特征在于,所述“于所述衬底表面生长LED晶片,并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构”的步骤,包括:
于所述衬底表面布置第一成型夹具,并使所述第一成型夹具与所述衬底之间形成晶片生长间隙;
于所述晶片生长间隙中生长LED晶片;
剥离所述第一成型夹具,以使所述LED晶片的表面形成第一键合结构。
6.如权利要求1至4中任一项所述的键合方法,其特征在于,所述“于所述背板表面布置结合层,并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构”的步骤,包括:
于所述背板表面布置结合层;
利用第二成型夹具对所述结合层进行压印;
剥离所述第二成型夹具,以使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构。
7.如权利要求1至4中任一项所述的键合方法,其特征在于,所述“将所述LED晶片与所述结合层对位,并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合”的步骤之后,还包括:
剥离所述衬底。
8.如权利要求7所述的键合方法,其特征在于,所述“剥离所述衬底”的步骤之后,还包括:
于所述LED晶片上装设阴极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔股份有限公司,未经歌尔股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810340674.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:一种半导体芯片结构参数分析方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





