[发明专利]Ga有效
| 申请号： | 201810338037.3 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108441964B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘彬文;郭国聪;王国强;姜小明;曾卉一;徐忠宁;王观娥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L35/16;C30B29/46;C30B11/02 |
| 代理公司： | 11540 北京元周律知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁电材料 铁电单晶 单晶 制备 热稳定性能 测试频率 高温保温 热电器件 剩余极化 室温条件 压电器件 真空条件 综合性能 二元相 晶体的 潜在的 加热 合成 生长 申请 | ||
1.Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶属于单斜晶系Cc空间群。
2.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述的Ga2S3单晶的制备方法至少包括：
将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。
3.根据权利要求2所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，
所述晶体的生长过程中加热的升温速率为0.01～5℃/min；
所述高温保温温度为700～1200℃，高温保温时间为10～480小时；
所述真空条件为1～10-5pa；
所述降温：降温至室温到600℃。
4.根据权利要求2所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述方法至少包括：将初始原料Ga2S3粉末研磨均匀后，装入石英管中抽真空至1～10-5pa后密封石英管，将石英管放入下降炉中，加热至700～1200℃，保温，然后以每天0.1～30度的速率降温，至生长结束，取出，得到所述Ga2S3晶体。
5.根据权利要求4所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述加热温度为950～1200℃。
6.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶的尺寸为1.0～10.0mm x 1.0～10.0mm x 0.05～5.0mm。
7.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶的尺寸为4.0mm x 3.8mm x 0.2mm。
8.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶为二元相；在室温条件下2Hz的测试频率下，矫顽场Ec为0.1～8kV/cm，剩余极化强度为0.1～0.4μC/cm2。
9.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，在室温条件下2Hz的测试频率下，矫顽场Ec为1.8kV/cm，剩余极化强度为0.18μC/cm2。
10.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶用于制备压电领域的器件或者铁电领域的器件。
11.根据权利要求1所述的Ga2S3单晶作为铁电单晶材料的应用，其特征在于，所述Ga2S3单晶用于制备热电器件。
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