[发明专利]一种用于半导体封装的导电浆料及其制备方法有效
申请号: | 201810337799.1 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN108538444B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 张昱;邹其昱;崔成强;张凯;陈云;高健 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00;H01L23/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
地址: | 510060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 封装 导电 浆料 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于半导体封装的导电浆料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a)在质子酸和掺杂剂的混合液中,搅拌加入纳米金属颗粒后,再加入导电高分子单体,得到含纳米金属颗粒的导电高分子原位聚合反应液;
b)将所述含纳米金属颗粒的导电高分子原位聚合反应液在搅拌下进行导电高分子原位聚合反应,得到含导电聚合物包覆的纳米金属的分散溶液;
c)将所述含导电聚合物包覆的纳米金属的分散溶液进行干燥,得到导电聚合物包覆的纳米金属;
d)将溶剂、分散剂和粘度调节剂进行混合后再搅拌加入所述导电聚合物包覆的纳米金属,进行分散,得到导电浆料;
所述导电浆料由导电填料、溶剂、分散剂和粘度调节剂制成,所述导电填料为导电聚合物包覆的纳米金属。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述纳米金属颗粒的粒径为50nm~500nm;
所述纳米金属颗粒为纳米铜颗粒、纳米钯颗粒、纳米镍颗粒、纳米银颗粒和纳米金颗粒中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂为水、乙醇、丙酮、乙二醇、丙三醇、二甲苯异丙醇双酚A、环氧氯丙烷、环氧树脂、伯胺、叔胺、酸酐、苯酚、糠醛和间苯二酚中的一种或多种;
所述分散剂为阿拉伯胶、聚乙烯醇、聚乙二醇、明胶、聚乙烯烷酮咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、苯基咪唑和2-乙基咪唑中的一种或多种;
所述粘度调节剂为甲基纤维素、乙基纤维素、羟基纤维素、伯胺、叔胺和酸酐中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,导电填料、溶剂、分散剂和粘度调节剂的重量百分比为8%~90%:8%~90%:1%~10%:1%~10%。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a)中所述掺杂剂和所述纳米金属颗粒的摩尔比为1:1~5。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤b)中所述导电高分子原位聚合反应的温度为20~40℃;
步骤b)中所述导电高分子原位聚合反应的时间为10~300min。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a)中所述质子酸为硫酸、醋酸、盐酸、高氯酸和硝酸中的一种或多种;
步骤a)中所述掺杂剂为过硫酸钠、重铬酸钾、碘酸钾、双氧水、过硫酸铵和氯化铁中的一种或多种;
步骤a)中所述导电高分子单体为苯胺、吡咯、噻吩、苯炔、奈和呋喃中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述质子酸在所述含纳米金属颗粒的导电高分子原位聚合反应液中的浓度为0.001~1M;
所述掺杂剂在所述含纳米金属颗粒的导电高分子原位聚合反应液中的浓度为0.001~0.5M。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述导电高分子单体在所述含纳米金属颗粒的导电高分子原位聚合反应液中的浓度为0.001~0.5M。
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