[发明专利]铸造高阻尼锰铜合金材料及其制造方法

权利要求书

1.一种静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于，所制备铸造高阻尼锰铜合金材料的化学元素质量百分配比为：

Cu：19-21％，Ni：4.5-5.5％，Fe：3-4％，Al：0.01-0.05％，RE：0.01-0.05％，Ca：0.001-0.01％，余量为Mn和其他不可避免的杂质；其中RE为Ce和La混合稀土，或者Ce或La的单一元素稀土，所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法包括如下步骤：

a.合金熔炼：

按照目标制备的铸造高阻尼锰铜合金材料的元素质量百分配比称量原料，将原料混合放在坩埚中，并置于真空感应熔炼炉内进行熔化，在合金熔炼过程中通入惰性气体作为保护气体，对原料进行感应加热到1250-1350℃，并保温10-30min，使得原料充分熔化，得到合金熔体；

b.合金凝固：

对在所述步骤a中制备的合金熔体施加横向静磁场，在磁场作用下，将合金熔体在坩埚中进行凝固，得到合金铸件；

c.时效热处理：

对在 所述步骤b中获得的合金铸件，在惰性气体作为保护气体的真空热处理炉中，在420-450℃条件下保温1-3h，然后随炉冷却至室温，从而得到铸造高阻尼锰铜合金材料的铸件。

2.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：其化学元素质量百分配比为：Cu：20-21％，Ni：4.5-5.5％，Fe：3-4％，Al：0.01-0.03％，RE：0.02-0.05％，Ca：0.001-0.005％，余量为Mn和其他不可避免的杂质。

3.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：其中Mn元素质量百分69.5-73.4wt.％。

4.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：铸造高阻尼锰铜合金相组成均为γ+γ'。

5.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：所述铸造高阻尼锰铜合金材料阻尼性能Q^-1≥1×10^-2。

6.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：在所述步骤b中，向合金熔体凝固界面前沿位置处施加强度不大于5T的磁场，合金熔体在磁场作用下凝固成铸件。

7.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：在所述步骤b中，向合金熔体凝固界面前沿位置处施加横向静磁场。

8.根据权利要求1所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：在所述步骤b中，在合金凝固过程中，通入惰性气体作为保护气体。

9.根据权利要求6～8中的任意一项所述静磁场调控铸造高阻尼锰铜合金材料的制造方法，其特征在于：所述惰性气体采用 氩气，形成保护气体气氛。