[发明专利]一种基于高掺杂半导体的宽带太赫兹吸收器在审
| 申请号： | 201810335032.5 | 申请日： | 2018-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN108666763A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 朱冬颖;王玥;崔子健 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150040 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高掺杂 吸收器 宽带 半导体 吸收 等离子体材料 极化不敏感 太赫兹波段 多层材料 结构表面 两层结构 吸收效率 电磁波 硅材料 正方体 顶层 衬底 堆叠 入射 圆环 掺杂 加工 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于高掺杂半导体的宽带太赫兹吸收器，所述的宽带太赫兹吸收器结构为正方体作为衬底，顶层为一圆环与圆柱组成的设计图样，两层结构紧密贴合；本发明具有吸收率高、极化不敏感、宽角度入射等特点，对在太赫兹频段的电磁波有着宽频段的吸收。
2.根据权利要求1所述的吸收器其特征在于：
所述宽带太赫兹吸收器的衬底为高掺杂P型硅，掺杂浓度为6.8×1017cm-3，对应的电导率为0.055Ω·cm ，其厚度为245μm，周期为200μm。
3.根据权利要求1，该宽带太赫兹吸收器的特征在于顶层结构的圆环外半径为75μm，内半径为60μm，圆柱半径为35μm，圆环与圆柱之间的间隙为25μm，结构厚度为50μm，所用材料为与衬底同为同等浓度的高掺杂硅。
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