[发明专利]超低温稳定温阻特性的微通道板及其制备方法有效
| 申请号： | 201810332791.6 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108493083B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡华;徐滔;许阳蕾;薄铁柱;李庆;廉姣;周东站;刘辉 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J43/24;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微通道板 制备 超低温条件 超低温 二次电子发射层 导电层 改性层 体电阻 原子层沉积技术 正电阻温度特性 快速读取 内壁表面 微孔通道 高稳定 增大的 沉积 基板 内壁 响应 | ||
1.一种超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，其包括：
在微通道板基板的内壁上制备导电层；
在所述的导电层上制备二次电子发射层；
在所述的二次电子发射层上采用原子层沉积法制备温阻特性改性层，得到超低温稳定温阻特性的微通道板；
所述的温阻特性改性层为钛酸钡复合薄膜或钛酸锶钡复合薄膜；
所述的钛酸钡复合薄膜包括至少一层钛酸钡层；
每层所述的钛酸钡层由微通道孔的内壁至微通道孔的中心依次由氧化钡层和氧化钛层组成；
所述的氧化钡层沉积时，其有机源是Ba(iPr3Cp)2，通入Ba(iPr3Cp)2的次数为N4；氧化钛层沉积时，其有机源为四异丙醇钛，通入四异丙醇钛的次数为N5；所述的N4和N5的比例为11:20；
所述的钛酸锶钡复合薄膜包括至少一层钛酸锶钡层；
每层所述的钛酸锶钡层由微通道孔的内壁至微通道孔的中心依次由氧化钡层、氧化钛层和氧化锶层组成；
所述的氧化钡层沉积时，其有机源是Ba(iPr3Cp)2，通入Ba(iPr3Cp)2的次数为N1；氧化钛层沉积时，其有机源为四异丙醇钛，通入四异丙醇钛的次数为N2；氧化锶层沉积时，有机源为Sr(Pr(CH)4Cp)2，通入Sr(Pr(CH)4Cp)2的次数为N3；所述的N1、N2和N3的比例为10:25:6或者12:20:10。
2.根据权利要求1所述的超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，所述的微通道板基板表面上镀有Ni/Cr表面电极。
3.根据权利要求1所述的超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，所述的制备温阻特性改性层的原料包括有机源、水、载气和清洁气体；
其中所述的有机源为四异丙醇钛、Ba(iPr3Cp)2或Sr(Pr(CH)4Cp)2；所述的载气和清洁气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，所述的钛酸锶钡层的制备方法包括：
制备氧化钡薄膜：有机源加热至150-200℃，反应温度为200-250℃，暴露时间为1-5s，清洗时间为20-50s，联合反应时间为1-5s；
制备氧化钛薄膜：有机源加热至30-100℃，反应温度为200-250℃，暴露时间为1-5s，清洗时间为20-50s，联合反应时间为1-5s；
制备氧化锶薄膜：有机源加热至100-150℃，反应温度为200-250℃，暴露时间为1-5s，清洗时间为20-50s，联合反应时间为1-5s。
5.根据权利要求1所述的超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，所述的钛酸钡层的制备方法包括：
制备氧化钡薄膜：有机源加热至150-200℃，反应温度为200-250℃，暴露时间为1-5s，清洗时间为20-50s，联合反应时间为1-5s；
制备氧化钛薄膜：有机源加热至30-100℃，反应温度为200-250℃，暴露时间为1-5s，清洗时间为20-50s，联合反应时间为1-5s。
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