[发明专利]一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法在审

专利信息
申请号: 201810332678.8 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN108315820A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 张文霞;谷守伟;高润飞;郝勇;刘伟;武志军;田野;张全顺;裘孝顺 申请(专利权)人: 内蒙古中环光伏材料有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B27/02;C30B15/04
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 掺氮 单晶硅 回收料 直拉单晶硅棒 原料装入坩埚 氮气 熔化 原料熔化 加料 掺杂物 多晶硅 坩埚 加热 生产成本 电池 生产
【权利要求书】:

1.一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于,依次包括:

S11:加料,将多晶硅、掺杂物和掺氮单晶硅回收料作为原料装入坩埚内;

S12:熔化,加热,使所述坩埚内的原料熔化。

2.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于,所述加料步骤之前还包括掺氮单晶硅回收料的预处理,具体包括如下步骤:

S101:去除掺氮单晶硅回收料表面氧化层;

S102:粉碎掺氮单晶硅回收料;

S103:清洗粉碎后的掺氮单晶硅回收料。

3.根据权利要求2所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于,所述清洗粉碎后的掺氮单晶硅回收料,依次包括:

S121:采用硝酸与氢氟酸的混合液清洗所述掺氮单晶硅回收料;

S122:采用高纯水清洗所述掺氮单晶硅回收料;

S123:烘干所述掺氮单晶硅回收料。

4.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述步骤S121中,在硝酸与氢氟酸的混合液中放置无用破损硅片。

5.根据权利要求4或5所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述步骤S121中,所述氢氟酸与所述硝酸的体积比为1:3-1:7。

6.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述加热的温度大于1450℃。

7.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述掺杂物为III族元素杂质或者V族元素杂质。

8.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述装料步骤中,所述掺氮单晶硅回收料与多晶硅的质量比为1:3-1:9。

9.根据权利要求1所述的利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,其特征在于:所述熔化步骤后还依次包括种晶、缩颈、放肩、等径和收尾步骤,所述熔化、种晶、缩颈、放肩、等径和收尾步骤中,均充入氩气作为炉体保护气,充入的氩气流量为50L/min,压力为11Torr。

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