[发明专利]鳍式晶体管的制备方法

说明书

本发明涉及一种鳍式晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术，该鳍式晶体管的制造方法包括：步骤110提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同；以得到不同鳍高的鳍式晶体管，满足集成电路对不同特性的晶体管的需求。

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造技术，尤其涉及一种不同鳍高的鳍式晶体管的制备方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小，半导体技术特征尺寸不断减小，传统的平面式晶体管已经无法满足需求，鳍式晶体管(如鳍式场效应晶体管)因运而生，并得到广泛应用。

另外，随着集成电路对集成度要求的提高，需要在一个衬底上集成多个鳍式晶体管，然而，集成电路对不同晶体管的性能需求往往不同，如晶体管的驱动电流等，这些参数通常与鳍式晶体管的鳍高有关。

因此在集成电路制造中，需要制造不同鳍高的晶体管，来满足对不同特性的晶体管的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种鳍式晶体管的制备方法，以得到不同鳍高的鳍式晶体管，满足集成电路对不同特性的晶体管的需求。

本发明提供的鳍式晶体管的制备方法，包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管，原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，第一区域上包括至少一个第一鳍，第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使第一区域与第二区域之间形成一台阶，以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使第一鳍的高度与第二鳍的高度不同。

更进一步的，步骤130更包括步骤1301，在硅化物层上形成光刻胶，之后去除第二区域上的硅化物层上的光刻胶，并以第一区域上的硅化物层上的光刻胶为掩膜进行第一次刻蚀工艺。

更进一步的，步骤130更包括步骤1302，完成第一次刻蚀工艺后，去除第一区域上的硅化物层上的光刻胶。

更进一步的，台阶为一下降的台阶。

更进一步的，第二鳍的高度大于第一鳍的高度。

更进一步的，第二鳍的高度与第一鳍的高度差等于台阶的高度。

更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，硅化物隔离区与硅化物层的材料相同。

更进一步的，硅化物层和硅化物隔离区的材料均为二氧化硅。

更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，台阶的高度为第一区域的衬底的底部至第一区域的硅化物层的顶部的高度与第二区域的衬底的底部至第二区域的硅化物层的顶部的高度的差。

更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，台阶的高度为第一区域的衬底的底部至第一区域的硅化物层的顶部的高度与第二区域的衬底的底部至第二区域的硅化物隔离区的顶部的高度的差。

本发明提供的鳍式晶体管的制备方法，通过在原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层，并经过两次刻蚀工艺得到具有不同鳍高的鳍式晶体管，满足了集成电路对不同特性的晶体管的需求。

附图说明

图1为发明一实施例的鳍式晶体管的制备方法流程图。