[发明专利]套刻误差测量方法及套刻标记在审
| 申请号： | 201810330305.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108628107A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 套刻标记 前层 当层 套刻 集成电路制造技术 套刻精度测量 补正系统 套刻误差 光刻机 晶圆 测量 | ||
1.一种套刻误差测量方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一晶圆，并设计一套刻标记，所述套刻标记包括当层套刻标记、第一前层套刻标记和第二前层套刻标记；
步骤S2，完成所述晶圆的第一前层的光刻、刻蚀工艺，形成所述第一前层套刻标记；
步骤S3，完成所述晶圆的第二前层的光刻、刻蚀工艺，形成与所述第一前层套刻标记方向不同的所述第二前层套刻标记；
步骤S4，完成所述晶圆的当层的光刻工艺，形成所述当层套刻标记；以及
步骤S5，通过套刻精度测量方法同时获得所述当层与所述第一前层之间的套刻误差及所述当层与所述第二前层之间的套刻误差。
2.根据权利要求1所述的套刻误差测量方法，其特征在于，所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记组合成为一个包括X方向的套刻标记和Y方向的套刻标记的前层套刻标记。
3.根据权利要求1或2任一项所述的套刻误差测量方法，其特征在于，所述第一前层套刻标记包括X方向的套刻标记，所述第二前层套刻标记包括Y方向的套刻标记。
4.根据权利要求1或2任一项所述的套刻误差测量方法，其特征在于，所述第一前层套刻标记包括Y方向的套刻标记，所述第二前层套刻标记包括X方向的套刻标记。
5.根据权利要求1所述的套刻误差测量方法，其特征在于，还包括步骤S6，若所述套刻误差超过要求规格，则对当前批次晶圆返工，并将所述套刻误差值反馈到光刻机，通过光刻机的套刻精度补正系统对当前批次晶圆同时修正所述当层与所述第一前层之间的套刻精度及所述当层与所述第二前层之间的套刻精度；以及步骤S7，若套刻误差符合规格要求，则将所述套刻误差值反馈到光刻机，通过光刻机的套刻精度补正系统对下一批次晶圆同时修正所述当层与所述第一前层之间的套刻精度及所述当层与所述第二前层之间的套刻精度。
6.根据权利要求5所述的套刻误差测量方法，其特征在于，步骤S6和S7更包括修正所述当层与所述第一前层之间在X方向的套刻精度及所述当层与所述第二前层之间在Y方向的套刻精度。
7.根据权利要求5所述的套刻误差测量方法，其特征在于，步骤S6和S7更包括修正所述当层与所述第一前层之间在Y方向的套刻精度及所述当层与所述第二前层之间在X方向的套刻精度。
8.一种套刻标记，其特征在于，包括：当层套刻标记及相对于所述当层套刻标记的第一前层套刻标记和第二前层套刻标记，且所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记组合成为一个包括X方向的套刻标记和Y方向的套刻标记的前层套刻标记。
9.根据权利要求8所述的套刻标记，其特征在于，所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记所包括的套刻标记的方向不同。
10.根据权利要求8或9任一项所述的套刻标记，其特征在于，所述第一前层套刻标记包括X方向的套刻标记，所述第二前层套刻标记包括Y方向的套刻标记。
11.根据权利要求8或9任一项所述的套刻标记，其特征在于，所述第一前层套刻标记包括Y方向的套刻标记，所述第二前层套刻标记包括X方向的套刻标记。
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