[发明专利]一种省肥高产的番茄种植方法

说明书

本发明提供了一种省肥高产的日光温室中番茄的种植方法：采用垄内分层施肥的施肥方式，采用单行单株双蔓V字形的种植方式，结合中耕最终形成“山”字形种植垄。本发明提供的种植方法通风透光，病虫害少；根系发达，增产潜力大；在肥料、种苗和农药上的投资比常规种植方式低；机械化水平高，用工相对集中，劳动量小。采用本方法获得的果实整齐均匀，果实大，着色好，残次果量低，优质果产量高，比常规种植方式增产15%以上；本发明的方法种养结合，回避连作；投资少，管理方便，省工省时，实现了高产高效。

技术领域

本发明属于农业生产领域，具体涉及一种日光温室中番茄种植的方法。

背景技术

番茄是南北方常见的蔬菜品种，全国种植面积大、区域广。目前，北方各地的番茄普遍采用日光温室种植。茬口安排一般分为秋冬茬和冬春茬，大都采用大垄双行的种植模式。小行距50㎝，大行距80㎝，株距40㎝，亩密度2500株，亩产量7500㎏左右。这种传统的种植模式用工多，投资大，收入低。由于常年高水肥、高密度重茬种植，不仅造成土壤盐渍化逐年提高，生产环境恶化，病害严重，而且光照差，光合产物较低，番茄产量和品质难以提高，投入产出比低。

发明内容

针对日光温室番茄种植中存在的用工多，投资大，光照差等问题，本发明提供一种新的番茄种植方法，该种植方法，植株密度低，光照好，投资小，用工少，高产高效。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案。

一种省肥高产的番茄种植方法，采用以下步骤：

（1）地块平整后，按照140-150cm的距离开沟，沟深15cm，沟宽40cm，沟内条施有机肥后覆土至平；在其上撒施化肥，施肥宽度60cm；然后旋耕，旋耕深度20cm；

（2）在施肥沟上做宽度为70cm的种植垄，种植垄中央保留一条10cm宽的种植行，种植行两侧开沟，沟宽20cm，沟深3-5cm，把土搂向垄沿。沟内施用菌肥后混土；

（3）在种植行上种植番茄苗，要深栽浅埋，栽后浇足定植水，5天左右适浇缓苗水，缓苗后打顶；

（4）侧芽达到20cm时，保留基部两个健壮侧芽，其他侧芽全部去除，然后进行浅中耕，中耕深度2-3cm；

（5）蔓长达到35-50cm时吊蔓，把两条蔓吊成“V”字形生长状态；

（6）吊蔓后中耕，并向番茄根部培土，培土高度5cm。形成一行两沟两沿的“山”字形种植垄，然后覆盖地膜；

（7）待开花后授粉，每条蔓由下至上留5穗果，每穗留果4个，然后摘心；

（8）正常农事、肥水管理至果实成熟。

所述番茄苗为无限生长型；番茄苗的苗龄30-35天，株高20cm左右。

所述番茄苗的株距为30-35cm。

所述步骤（5）中，一株上两条蔓最终顶端间距为70cm。

所述步骤（6）中，地膜采用单侧开口的覆盖方式。