[发明专利]磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除方法和装置在审
申请号: | 201810324798.3 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN110372546A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 蔡熙扬;卢志敏;潘鹤潮;沈平;陈武渊;赵建红 | 申请(专利权)人: | 广州市浪奇实业股份有限公司;广州市日用化学工业研究所有限公司 |
主分类号: | C07C303/44 | 分类号: | C07C303/44;C07C309/03;C07C309/20;C07C309/30;C07C309/17;C07C309/22;B01D15/22;B01D15/20 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍;李国钊 |
地址: | 510660 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磺酸盐类阴离子表面活性剂 微孔材料 三氧化硫 硫酸镍晶体 硫酸铜晶体 硫酸去除 氯化钴 去除 方法和装置 无机盐 工艺处理 磺化产物 设备投入 活性物 无机酸 产能 磺化 吸附 生产工艺 硫酸 生产成本 | ||
本发明公开了一种磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除方法。其对经过磺化工艺处理得到的磺酸盐类阴离子表面活性剂产物进行微孔材料吸附处理,以去除产物中的三氧化硫及硫酸;其中,所述微孔材料的孔径为0.40‑0.45nm的微孔材料。所述微孔材料负载有氯化钴晶体、或硫酸铜晶体、或硫酸镍晶体。所述微孔材料负载有氯化钴晶体、或硫酸铜晶体、或硫酸镍晶体。本发明还公开了实现该方法的装置。本发明能有效去除磺酸盐类阴离子表面活性剂的磺化产物中30‑70%的无机酸或无机盐,提高产品的总活性物含量。本发明用于磺酸盐类阴离子表面活性剂的生产工艺中,不影响其产能,而且设备投入费用和生产成本较低。
技术领域
本发明涉及一种磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除方法和装置。
背景技术
目前,磺酸盐类阴离子表面活性剂在其制备过程采用了磺化工艺而在产品中残留有无机酸(多由三氧化硫生成的硫酸)或无机盐(主要为硫酸盐)和未磺化物(如烯烃和烷烃、烷基苯和脂肪酸酯)等杂质。而且,由于磺化工艺后的产物无机酸含量较高,导致后续的中和步骤所需要的碱用量增加,也使成品的活性物含量偏低。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除方法,以有效解决现有技术的不足之处。
本发明的第二个目的在于提供一种实现上述方法的装置。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除方法,对经过磺化工艺处理得到的酸性磺化物进行微孔材料吸附处理,以去除产物中的三氧化硫及硫酸;其中,所述微孔材料的孔径为0.40-0.45nm的微孔材料。
作为优选,所述微孔材料为无机微孔材料,包括微孔硅铝酸盐、微孔二氧化硅、微孔硼磷酸盐、磷酸铝分子筛和微孔陶瓷。
作为优选,所述微孔材料负载有氯化钴晶体、或硫酸铜晶体、或硫酸镍晶体。
作为优选,当第一微孔材料所负载的结晶水被完全消耗后,对第一微孔材料进行重生处理,所述重生处理包括吸附物脱附步骤和结晶水生成步骤。
为达到第二个目的,本发明采用如下技术方案:
磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除装置,设置在磺化工艺设备的出料管路和成品仓之间,包括:吸附管路,由至少一条吸附管并联设置,所述吸附管路的总管径为磺化工艺设备的出料管路管径的2~3倍;和微孔材料,填充于所述吸附管路中,填充量为0.1~0.45立方米。
作为优选,所述微孔材料的孔径为0.40-0.45nm;所述微孔材料为无机微孔材料,包括微孔硅铝酸盐、微孔二氧化硅、微孔硼磷酸盐、磷酸铝分子筛和微孔陶瓷;所述微孔材料负载有氯化钴晶体、或硫酸铜晶体、或硫酸镍晶体。
本发明能有效去除磺酸盐类阴离子表面活性剂的磺化产物中30-70%的无机酸或无机盐,提高产品的总活性物含量。本发明用于磺酸盐类阴离子表面活性剂的生产工艺中,不影响其产能,而且设备投入费用和生产成本较低。
附图说明
图1是本发明所述的磺酸盐类阴离子表面活性剂的三氧化硫和硫酸去除装置的结构原理图。
图中:
1—吸附管;11—进料口;12—出料口;2—微孔材料。
现结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
具体实施方式
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