[发明专利]一种{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的BiOCl材料由厚度2～20nm、边长100～1000nm的纳米片组成，{110}晶面暴露程度为50～100％；其制备方法包括如下步骤：

(1)将铋源、氯源与糖类化合物按1:(0～2):(0.01～1)的摩尔比混合均匀，得到原料混合物；

(2)将步骤(1)所得原料混合物与磨球按1:(0.5～100)的质量比放入球磨机中，在保护气氛下球磨0.2～20h；

(3)将步骤(2)得到的球磨混合物置于高温炉中在200～600℃下热处理0.5～10h，将热处理后的混合物经过洗涤除杂，然后进行固液分离、干燥，即得{110}高能晶面暴露的BiOCl材料。

2.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的铋源为金属铋、氧化铋、氢氧化铋、碳酸铋、碱式碳酸铋、硝酸铋、硝酸氧铋、硫酸铋、硫酸氧铋、氯化铋、铋酸钠、铋酸锂、铋酸钾、铋酸镁中的一种或两种以上。

3.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的氯源为含氯离子的化合物。

4.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的氯源为盐酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵、氯化锌、氯化铁、氯化铜、氯化铝、氯化钙、氯化镁中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的糖类化合物为单糖、双糖、多糖、聚糖或复合糖。

6.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的糖类化合物为葡萄糖、果糖、乳糖、蔗糖、麦芽糖中的一种或两种以上。

7.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的保护气氛为氮气、氩气、二氧化碳、空气中的一种或两种以上。

8.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，球磨机的转速为30～3000rpm。

9.根据权利要求1所述的{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的球磨机选自市场上的各种机型；所述的磨球为玛瑙球、刚玉球、氧化锆球、瓷球、不锈钢球中的一种或两种以上。

10.权利要求1至9任一项所述的制备方法得到的{110}高能晶面暴露BiOCl材料在超级电容器、碱性二次电池、锂离子电池、光催化剂、珠光颜料或医药领域中的应用。