[发明专利]半纵向型欧姆接触电极及其制作方法

权利要求书

1.一种半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向剖面上呈台阶型。

2.如权利要求1所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，所述台阶型为单层台阶型或多层台阶型。

3.如权利要求1或2所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，所述金属电极在横向剖面上呈条形或环形或扇形。

4.如权利要求2所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，台阶的高度为10-500nm。

5.一种半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤如下：

S1、依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水对半导体样品进行超声清洗，将半导体样品表面清洗干净，使用氮气枪将表面吹干，烘干备用；

S2、在步骤S1处理后的样品上使用光刻方法定义出刻蚀所需图形；

S3、使用半导体湿法刻蚀或干法刻蚀方法在半导体样品表面刻蚀出台阶形状，刻蚀后依次用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗；

S4、在步骤S3处理后的样品上使用光刻方法定义出电极沉积所需图形；

S5、使用金属沉积制备欧姆接触电极金属，剥离形成电极图案。

6.如权利要求5所述的半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤S2和步骤S4中所述光刻的方法包含涂胶、匀胶、软烘、曝光、显影和坚膜的步骤。

7.如权利要求5所述的半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤S3中所述刻蚀的方法是感应耦合等离子体刻蚀方法，或者使用反应离子刻蚀的干法刻蚀方法、或者使用酸溶液/碱溶液刻蚀的湿法刻蚀方法。

8.如权利要求5所述的半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤S3中在表面浅刻蚀而形成的台阶高度为10-500nm。

9.如权利要求5所述的半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤S5中所述金属沉积的方法是热蒸发方法、或者电子束蒸发方法、或者磁控溅射方法、或者旋涂法。

10.如权利要求5所述的半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：

S6、根据金属-半导体欧姆接触合金所需的温度、时间、气氛环境，通过热退火的方式使金属电极合金化获得欧姆接触；或者根据金属-半导体欧姆接触合金选用相应的功率、脉冲时间，通过激光退火的方式使金属电极合金化获得欧姆接触。