[发明专利]半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810320586.8 申请日: 2018-04-11
公开(公告)号: CN108878538A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 工藤学 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 苏萌萌;权太白
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体装置 氧化硅膜 基板 薄膜晶体管 二氧化硅膜 氮化硅膜 电子设备 绝缘膜 金属膜 栅电极 翘曲 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

基板;

薄膜晶体管;以及

绝缘膜,其位于所述基板与所述薄膜晶体管之间,

所述绝缘膜具有第一氧化硅膜、被形成在所述第一氧化硅膜上的氮化硅膜以及被形成在所述氮化硅膜上的第二氧化硅膜,

所述第一氧化硅膜的氮浓度与所述第二氧化硅膜的氮浓度相比而较低。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一氧化硅膜的氮浓度在3E20atoms/CC以上且9E20atoms/CC以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述薄膜晶体管的栅电极含有钼。

4.一种电子设备,其特征在于,

具备权利要求1~3中任一项所述的半导体装置。

5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

使用硅烷气体和氮氧化物气体而使第一氧化硅膜成膜的工序;

使氮化硅膜成膜的工序;以及

使用硅烷气体和氮氧化物气体而使第二氧化硅膜成膜的工序,

使所述第一氧化硅膜成膜的工序与使所述第二氧化硅膜成膜的工序相比,硅烷气体相对于氮氧化物气体的浓度较低。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

具备使构成薄膜晶体管的硅膜成膜的工序,

所述第一氧化硅膜、所述氮化硅膜、所述第二氧化硅膜及所述硅膜在同一腔室内连续地成膜。

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