[发明专利]覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法

权利要求书

1.一种覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于，包括步骤：

提供裸片样品，所述裸片样品由一种覆晶芯片取裸片的制备方法制得；

观察所述裸片样品的正面的裂痕情况，若所述裸片样品的正面没有裂痕，则结束实验，若所述裸片样品的正面存在裂痕，则继续下一步实验；

所述下一步实验包括：

给所述裸片样品通电以使所述裸片样品发热；

提供发热感应显微镜，使用所述发热感应显微镜观察所述裸片样品并定位异常点；

根据所述异常点对所述裸片样品进行物理去层分析，找到所述裸片样品上失效点的原始位置；

其中，所述覆晶芯片取裸片的制备方法，包括步骤：

提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封装于所述裸片的外部的封装结构，所述裸片的正面具有锡球；

研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球；

采用淋酸蚀刻的方式蚀刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品；

其中，所述封装结构包括封装基底、凸块和塑封体，所述封装基底通过所述凸块连接于所述裸片的正面，所述塑封体包裹于所述裸片和所述锡球的外部；

研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球的步骤包括：

对所述封装结构进行粗磨，研磨掉所述封装基底、所述凸块和所述裸片外部的所述塑封体的三分之二部分；

提供冷埋固化胶体，将所述覆晶芯片结合并固化于所述冷埋固化胶体中；

对所述塑封体和所述冷埋固化胶体进行细磨，研磨所述塑封体剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片正面的所述锡球；

采用淋酸蚀刻的方式蚀刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品的步骤包括：

提供发烟硝酸并对所述发烟硝酸进行加热；

利用滴管将加热后的所述发烟硝酸冲淋到经研磨所述冷埋固化胶体的所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构及残留的冷埋固化胶体，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品。

2.如权利要求1所述的覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于：在所述覆晶芯片取裸片的制备方法中，使用P800砂纸进行所述粗磨。

3.如权利要求1所述的覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于：在所述覆晶芯片取裸片的制备方法中，使用P1200砂纸进行所述细磨。