[发明专利]确定光栅掩埋层工艺参数的方法

权利要求书

1.一种确定光栅掩埋层工艺参数的方法，包括：

制备光栅；

定位测试点位置，利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的前值信息；

将样品放入金属有机物气相外延设备中进行模拟生长掩埋层；

取出样品后再利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的后值信息；

比较模拟生长掩埋层后的测试点的前值信息与后值信息，调节工艺参数，得到最优工艺参数；所述前值信息及后值信息包括光栅深度、占空比；

比较所述前值信息与后值信息，所述前值信息与后值信息的差值最小时，对应的最佳工艺参数为最优工艺参数。

2.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，还包括步骤：通过试验设计，验证各工艺参数，确定最佳工艺参数组合。

3.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，还包括步骤：使用确定的最优工艺参数，进行正式生长光栅掩埋层，而后使用透射电子显微镜验证效果。

4.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，模拟生长是指：在升温阶段，不通入三族源，其他参数同正式生长相同，待升温结束，降温取出样品。

5.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，所述测试点至少包括三个。

6.根据权利要求5所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，所述光栅的相对两侧分别至少设置有一个测试点。

7.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，工艺参数包括温度、升温速率。

8.根据权利要求1所述的确定光栅掩埋层工艺参数的方法，其特征在于，所述制备光栅包括根据正式片结构，使用金属有机物气相外延设备生长光栅实验片，再将光栅实验片制备成光栅。