[发明专利]有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810319552.7 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108470756B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 宫奎;段献学;张志海 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李华;崔香丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素界定层 疏水图案 导电 堤部 墨滴 有机电致发光显示面板 层叠设置 像素区域 上表面 图案层 开口 二氧化硅图案 亲水二氧化硅 排斥作用 喷墨打印 亲水材料 显示基板 显示装置 彗星 偏移 成膜 滴落 减小 围设 墨水 制作 吸引 | ||
提供一种有机电致发光显示面板,包括像素界定层,所述像素界定层包括多个开口和围设形成所述多个开口的每个、且限定所述多个像素区域的堤部,所述堤部由由下至上层叠设置的亲水材料图案层和导电疏水图案层组成。本发明提供的显示基板,通过层叠设置在像素界定层下部的亲水二氧化硅图案层和上部的导电疏水图案层,使得在喷墨打印时,能够利用导电疏水图案层上表面对墨滴的排斥作用和二氧化硅图案层对墨滴的吸引作用,控制滴落在堤部上表面的墨滴,防止墨水轨迹发生偏移或者产生彗星点,进而减小像素区域内的成膜不均的缺陷。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
采用喷墨打印制作OLED(有机发光二极管)以及QLED(量子点发光二极管)显示器,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,喷墨打印技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但是作为一个新兴技术,采用喷墨打印技术和喷墨打印工艺制备的OLED或QLED,存在显示效果不佳的问题。虽然研究者们从材料及喷墨打印设备的方向进行了改进,但是印刷设备的稳定性以及薄膜厚度的均匀性等打印难题一直未能达到预期效果。
在常规的打印AM-QLED(有源矩阵量子点发光二极管)或AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)器件中,为防止显示墨水在印刷时向四周溢出,像素界定层堤部设置成上窄下宽、且顶部平坦的结构,如图1所示,位于基板1'、TFT阵列结构2'、平坦化层3'和OLED阳极4'之上的像素界定层堤部5'呈上窄下宽且顶部平坦的结构。这种结构中,打印过程中当墨水轨迹发生偏移或者当喷出墨滴产生彗星点等状况时,滴落在像素界定层堤部5'顶部的墨水会遗留在堤部5'顶部,从而导致像素界定层开口区域的墨水量减小,进而造成干燥后各像素区域发光元件功能层的薄膜厚度不均匀,最终影响显示效果。
为了解决上述问题,现有技术中都在尝试利用各种技术方法在像素界定层的顶部制作疏水结构,同时在像素界定层的底部制作亲水结构,以便使滴落在像素界定层堤部的顶部的墨水回流到像素界定层的开口区域。例如CN104167430A正是通过不同的步骤分别在像素界定层堤部的上表面以及像素界定层的开口区域的倾斜面制作亲水材料,从而保证发光材料墨水能均匀充分地填充在开口区域。但是目前公开的专利技术中,往往制作方法都很繁琐,需要不同的工艺步骤来分别制作亲水材料与疏水材料。
同时,目前,顶发光型器件由于可以获得更大的开口率,近年来成为了业界研究的热点。但是顶发射器件由于需要增加光的透过率,所以顶电极的厚度一般较薄,导致电极方阻较大,电压降严重,会引起显示器的发光不均匀现象。
发明内容
为了解决现有技术中有机发光材料层厚度不均匀的问题,本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板、制备方法和显示装置。
本发明一方面提供一种有机电致发光显示面板,包括设置于基板上的像素界定层,所述像素界定层包括多个开口和围设每个开口、且限定多个像素区域的堤部,所述堤部由从所述基板向上层叠设置的亲水材料图案层和导电疏水图案层组成。
根据本发明一实施方式,所述亲水材料图案层的材料包括二氧化硅。
根据本发明另一实施方式,所述导电疏水图案层的材料包括疏水树脂、光敏剂和导电材料。
根据本发明另一实施方式,所述导电材料包括碳纳米管、石墨烯、纳米银线中的至少一种,所述导电材料的质量百分含量为所述导电疏水图案层质量的5%-20%。
根据本发明另一实施方式,所述导电疏水图案层经过疏水处理。
根据本发明另一实施方式,所述亲水材料图案层的高度占所述堤部高度的1/2-2/3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的