[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，高电压晶体管包括第二晶体管，该第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

随着对于电子设备中的高性能、高速度和多功能的需求增加，电子设备中的半导体器件的集成密度正在增大。根据半导体器件的增大的集成密度，晶体管的按比例缩小变得非常重要。

发明内容

本发明构思的一方面是提供具有提高的集成度和保证的可靠性的半导体器件。

根据本发明构思的一方面，一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电介质层和包括金属的第一栅电极层，高电压晶体管包括第二晶体管，第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层以及包含多晶硅的第二栅电极层。

根据本发明构思的一方面，一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括产生存储单元的操作所需的电信号的第二晶体管以及产生存储单元与外部主机之间的通信所需的电信号的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅电介质层，第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层。

根据本发明构思的一方面，一种半导体器件包括：存储单元区域，包括存储单元，存储单元包括电荷存储层；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管包括包含高k材料的第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，该第二晶体管包括包含二氧化硅(SiO₂)的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。

附图说明

从以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和另外的方面、特征和优点将被更清楚地理解，附图中：

图1是根据示例实施方式的半导体器件的示意性框图；

图2是根据示例实施方式的半导体器件的示意性布局图；

图3是根据示例实施方式的半导体器件的示意性剖视图；

图4是根据示例实施方式的半导体器件的示意性剖视图；

图5至图7是根据示例实施方式的半导体器件的示意性剖视图；

图8A至图8H是示出根据示例实施方式的制造半导体器件的方法的示意性剖视图；

图9A和图9B是根据示例实施方式的半导体器件的示意性俯视图和剖视图；以及

图10是根据示例实施方式的半导体器件的示意性剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明构思的示例实施方式。

图1是根据示例实施方式的半导体器件的示意性框图。

参照图1，根据一示例实施方式的半导体器件10可以包括存储单元阵列20和控制逻辑30。