[发明专利]一种利用晶体测温的方法及其标定装置

权利要求书

1.一种利用晶体测温的方法，其特征在于，包括：

对样本晶体进行退火处理以获取标准标定曲线；

待测装置内设置有测温晶体，对待测装置进行点火试验，获取测温晶体的温升曲线，并根据所述温升曲线获取所述测温晶体的温度保持时间；

获取所述测温晶体的晶格伸展率；

根据所述标准标定曲线、所述温度保持时间和所述测温晶体的晶格伸展率确定所述待测装置的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对样本晶体进行退火处理以获取标准标定曲线，包括：

通过X射线衍射仪确定所述样本晶体的第一晶格间距，对所述样本晶体进行中子辐照；

在退火温度下，对辐照后的所述样本晶体在退火时间内进行退火处理，并对退火处理后的所述样本晶体进行晶格分析，以获取所述样本晶体的第二晶格间距；

根据所述样本晶体的第一晶格间距和所述样本晶体的第二晶格间距确定所述样本晶体的晶格伸展率；

根据所述样本晶体的所述退火温度、所述退火时间和所述样本晶体的晶格伸展率获取所述标准标定曲线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述待测装置内设置有测温晶体，对待测装置进行点火试验，获取测温晶体的温升曲线，并根据所述温升曲线获取所述测温晶体的温度保持时间之前，还包括：

通过X射线衍射仪确定所述测温晶体的第一晶格间距，对所述测温晶体进行中子辐照。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，获取所述测温晶体的晶格伸展率，包括：

对点火试验后的所述测温晶体，通过所述X射线衍射仪确定所述测温晶体的第二晶格间距；

根据所述测温晶体的第一晶格间距和所述测温晶体的第二晶格间距确定所述测温晶体的晶格伸展率。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述标准标定曲线、所述温度保持时间和所述测温晶体的晶格伸展率确定所述待测装置的温度，包括：

将所述温度保持时间和所述测温晶体的晶格伸展率代入至所述标准标定曲线，以确定所述待测装置的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述标准标定曲线、所述温度保持时间和所述测温晶体的晶格伸展率确定所述待测装置的温度之后，还包括：

利用傅里叶导热定律获取所述待测装置的热流密度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样本晶体和所述测温晶体均为SiC晶体。

8.一种利用晶体测温的标定装置，其特征在于，包括标定板，多个热电偶，其中，所述标定板的第一侧壁开设有用于埋设晶体的T形盲孔，所述标定板的两个对称第二侧壁的对称位置开设盲孔，多个所述热电偶分别埋设于所述标定板的盲孔内。

9.根据权利要求8所述的标定装置，其特征在于，所述标定板由镍基高温合金制成。

10.根据权利要求8所述的标定装置，其特征在于，所述热电偶为S型或R型贵金属热电偶。