[发明专利]显示基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201810317122.1 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108417609B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 罗程远 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板及其制备方法和显示装置,包括:衬底基板,衬底基板上设置有像素界定层和有机发光二极管,有机发光二极管的顶电极背向衬底基板的一侧设置有导电图形,导电图形在像素界定层所处平面的正投影位于像素界定层所设置的区域内且与顶电极位于像素界定层上的部分连接,顶电极背向衬底基板的一侧设置有平坦化层,平坦化层背向衬底基板的一侧设置有辅助电极,辅助电极与导电图形连接。在本发明中,辅助电极的形成无须依靠封装盖板,因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大,有利于OLED显示装置的轻薄化;此外,本发明中可采用转印工艺来形成辅助电极,此时由于像素区域中已填充平坦化层,因而可防止转印过程中辅助电极遭到破坏。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)面板是近年来逐渐发展起来的显示照明技术,尤其在显示行业,由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点,被视为拥有广泛的应用前景。其中,顶发射型OLED结构,由于具有更高的开口率和利用微腔效应实现光取出优化等优点,成为研究的主要方向。
对于顶发射OLED结构,作为OLED出光面的顶电极(OLED的阴极)必须具备良好的光透过率。目前,顶发射OLED结构的顶电极多为薄金属或透明导电材料(例如ITO、IZO),其中金属材料由于透过率较差,薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大,不利于大尺寸器件的开发;ITO、IZO等透明导电材料,在低温制成下,其本身的导电性能弱于金属。
在现有技术中,将金属作为ITO、IZO的辅助电极,采用光刻的方法制作于背板的非发光区域,以提高顶电极的整体导电性,达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺,涉及多道掩膜板和曝光工序,而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点,会对OLED器件的发光层造成损害,不适合作为量产手段。作为另一种提高顶电极导电性的方式是在封装盖板上制作辅助电极,使用该种方式可以避免上述制作工艺中存在的问题,但是由于辅助电极依托于封装盖板,因而会导致最终成型的OLED显示装置盒厚增大,不利于OLED显示装置的轻薄化。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制备方法和显示装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有像素界定层和若干个有机发光二极管,所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有若干个导电图形,所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内且与所述顶电极位于所述像素界定层上的部分连接,所述顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有平坦化层,所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧设置有辅助电极,所述辅助电极与所述导电图形连接以与所述顶电极构成并联。
可选地,还包括:胶黏剂层,所述胶黏剂层位于所述平坦化层和所述辅助电极之间。
可选地,所述胶黏剂层背向所述衬底基板的一侧的表面与所述导电图形背向所述衬底基板的一侧的表面平齐。
可选地,还包括:薄膜封装层,所述薄膜封装层位于所述辅助电极背向所述衬底基板的一侧。
为实现上述目的,本发明还提供了一种显示装置,包括:如上述的显示基板。
为实现上述目的,本发明还提供了一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成像素界定层和若干个有机发光二极管;
在所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧形成若干个导电图形,所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内;
在所述顶电极背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的