[发明专利]一种改善视角特性的顶发射OLED器件有效
申请号: | 201810315666.4 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN108470839B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 李维维;刘嵩;何麟 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 闫聪彦 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 视角 特性 发射 oled 器件 | ||
本发明公开了一种改善视角特性的顶发射OLED器件。该结构包括基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极、光输出耦合层;本发明中,通过增加空穴注入层的折射率,破坏了第一电极的反射光与发光层的发射光相干涉增强的条件,从而减弱了OLED器件中的广角干涉,使得微腔效应得到抑制。同时,配合超薄的第二电极结构,并辅助以光输出耦合层,提高了发光层所发出的光的透射率和光导出率。本发明的上述方案可解决顶发射OLED中随视角偏移,发光性质降低的技术问题,特别适用于平板显示领域。
本发明专利申请为分案申请,原案申请号为201310752797.6,申请日为2013年12月31日,发明名称为:一种改善视角特性的顶发射OLED器件。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,具体涉及一种改善视角特性的顶发射OLED器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)作为新型的主动式发光的显示器件,其质量轻、厚度薄、具有较强的抗震性,同时其采用有机半导体发光,材料选择范围宽,可实现可见光范围的全彩显示,易实现白光照明。与现有主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)相比,其视角更宽,响应速度更快,无需背光照明,发光效率高,且可实现柔性显示,是最具潜力取代LCD的显示器件。
OLED器件按照发光位置,可分为底发射OLED(Bottom Emitting OLED,简称BEOLED)和顶发射OLED(Top Emitting OLED,简称TEOLED)两种。其中,BEOLED是将OLED制作在覆盖有透明的铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,简称ITO)或铟锌氧化物(Indium ZincOxides,简称IZO)电极的玻璃衬底上,当对OLED施加电压时,OLED发出的光经透明ITO(或IZO)电极和玻璃衬底从底部射出。在BEOLED结构中,透明ITO(或IZO)电极与驱动OLED的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)相连,存在OLED发光面积与TFT竞争的问题,导致器件开口率(Aperture Ratio)较低。而顶发射OLED是将不透明的全反射电极覆盖在玻璃或硅衬底上,再制作OLED,对OLED施加电压时,光从顶部的透明或半透明阴极射出。基于顶发射OLED器件的显示器中,驱动OLED的TFT制作于OLED下方,出光面与TFT分开,这可以使开口率低的问题得到根本解决。
顶发射OLED中包含全反射电极和半透明电极,这种结构会形成微腔效应,由于微腔效应产生了强烈的多光束干涉,对光源具有选择、窄化和加强等作用,常被用来提高器件的色度、加强特定波长的发射强度及改变器件的发光颜色等,但是微腔效应的存在会影响器件的视角特性,即随视角的偏移,发光峰发生偏移,导致显示器亮度的差异与色度的漂移等问题。
目前改善顶发射OLED视角特性的方案一般是在阴极上加一层光输出耦合层,如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bathocuproine,简称BCP)等高折射率低吸收率的有机物,或在半透明的阴极表面蒸镀一层高折射率的电介质ZnSe、ZnS等作为耦合层,提高透射率和光导出率,进而降低多光束干涉的影响,但随着多光束干涉被抑制,微腔效应中的另一种广角干涉产生了作用,而上述方案不能解决广角干涉的问题,因此上述方案对OLED器件中微腔效应的抑制作用有限,视角特性无法得到有效改善。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于改善顶发射OLED器件中随视角偏移,亮度和色度产生偏差的现象,从而提出一种改善视角特性的顶发射OLED器件。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
本发明提供一种改善视角特性的顶发射OLED器件,包括基板以及在基板上叠加设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极、光输出耦合层;所述第二电极的透光率不小于25%,所述空穴注入层的折射率不小于1.8;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择