[发明专利]包括静电释放保护电路的半导体集成电路设备有效

专利信息
申请号: 201810315330.8 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN108987385B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 李昌挥;孙姬贞;郑起龙;李承烨 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 李少丹;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包括 静电 释放 保护 电路 半导体 集成电路 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路设备,包括:

焊盘,其连接至第一连接节点;

第一电压保护单元,其连接在第二连接节点和与所述焊盘连接的所述第一连接节点之间,所述第一电压保护单元被配置为当从焊盘施加具有负电平的电压时维持关断状态;以及

第二电压保护单元,其连接在电压端子之间和与所述第一电压保护单元连接的所述第二连接节点,所述第二电压保护单元被配置为当从焊盘流入静电电压时被导通,其中,第二电压保护单元包括多个正栅极P沟道金属氧化物半导体GPPMOS晶体管,多个GPPMOS晶体管通过多个子连接节点而彼此串联连接;以及

电路修正单元,所述电路修正单元包括多个修正构件以选择性改变从所述焊盘施加的电压的传输路径,

其中,所述多个修正构件分别连接在所述多个子连接节点与所述电压端子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,第一电压保护单元包括PN二极管。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路设备,其中,所述PN二极管的正极连接到所述第一连接节点,以及所述PN二极管的负极连接到与所述第二电压保护单元的输入相对应的所述第二连接节点。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路设备,其中,PN二极管包括:

N阱;以及

在N阱中形成的具有高浓度的P型杂质区域。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路设备,其中,N阱被配置为与P型半导体衬底直接接触。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,第二电压保护单元中的所述多个GPPMOS晶体管的数量根据具有正电平的静电电压的大小来确定。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,所述多个GPPMOS晶体管具有相同的阈值电压。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,所述多个GPPMOS晶体管之中的与第一电压保护单元连接的一个GPPMOS晶体管具有最高电压。

9.一种半导体集成电路设备,包括静电释放ESD保护电路,所述ESD保护电路被配置为当从焊盘施加正常电压时被关断,而当从焊盘施加异常电压时被导通,半导体集成电路设备的ESD保护电路包括:

PN二极管,其被配置为当从焊盘输入具有负电平的正常电压时被关断;

电压保护单元,其包括通过多个子连接节点而彼此串联连接的多个GPPMOS晶体管,并且通过从焊盘输入的具有正电平的静电来被驱动以去除静电;以及

电压传输路径,其经由所述PN二极管和所述多个GPPMOS晶体管中至少之一而形成在所述焊盘与接地端子之间;

修正构件,其连接在所述多个连接节点中的每个连接节点与接地端子之间,并且被配置成被导通或关断以选择性地将所述多个GPPMOS晶体管的所述多个子连接节点的电压传输至所述接地端子,

其中,所述PN二极管和所述电压保护单元串联连接在所述焊盘与所述接地端子之间。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路设备,其中,PN二极管和所述多个GPPMOS晶体管形成在被配置为与P型半导体衬底直接接触的N阱中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810315330.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top