[发明专利]包括静电释放保护电路的半导体集成电路设备有效
申请号: | 201810315330.8 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108987385B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 李昌挥;孙姬贞;郑起龙;李承烨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 静电 释放 保护 电路 半导体 集成电路 设备 | ||
1.一种半导体集成电路设备,包括:
焊盘,其连接至第一连接节点;
第一电压保护单元,其连接在第二连接节点和与所述焊盘连接的所述第一连接节点之间,所述第一电压保护单元被配置为当从焊盘施加具有负电平的电压时维持关断状态;以及
第二电压保护单元,其连接在电压端子之间和与所述第一电压保护单元连接的所述第二连接节点,所述第二电压保护单元被配置为当从焊盘流入静电电压时被导通,其中,第二电压保护单元包括多个正栅极P沟道金属氧化物半导体GPPMOS晶体管,多个GPPMOS晶体管通过多个子连接节点而彼此串联连接;以及
电路修正单元,所述电路修正单元包括多个修正构件以选择性改变从所述焊盘施加的电压的传输路径,
其中,所述多个修正构件分别连接在所述多个子连接节点与所述电压端子之间。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,第一电压保护单元包括PN二极管。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路设备,其中,所述PN二极管的正极连接到所述第一连接节点,以及所述PN二极管的负极连接到与所述第二电压保护单元的输入相对应的所述第二连接节点。
4.根据权利要求2所述的半导体集成电路设备,其中,PN二极管包括:
N阱;以及
在N阱中形成的具有高浓度的P型杂质区域。
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路设备,其中,N阱被配置为与P型半导体衬底直接接触。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,第二电压保护单元中的所述多个GPPMOS晶体管的数量根据具有正电平的静电电压的大小来确定。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,所述多个GPPMOS晶体管具有相同的阈值电压。
8.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备,其中,所述多个GPPMOS晶体管之中的与第一电压保护单元连接的一个GPPMOS晶体管具有最高电压。
9.一种半导体集成电路设备,包括静电释放ESD保护电路,所述ESD保护电路被配置为当从焊盘施加正常电压时被关断,而当从焊盘施加异常电压时被导通,半导体集成电路设备的ESD保护电路包括:
PN二极管,其被配置为当从焊盘输入具有负电平的正常电压时被关断;
电压保护单元,其包括通过多个子连接节点而彼此串联连接的多个GPPMOS晶体管,并且通过从焊盘输入的具有正电平的静电来被驱动以去除静电;以及
电压传输路径,其经由所述PN二极管和所述多个GPPMOS晶体管中至少之一而形成在所述焊盘与接地端子之间;
修正构件,其连接在所述多个连接节点中的每个连接节点与接地端子之间,并且被配置成被导通或关断以选择性地将所述多个GPPMOS晶体管的所述多个子连接节点的电压传输至所述接地端子,
其中,所述PN二极管和所述电压保护单元串联连接在所述焊盘与所述接地端子之间。
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路设备,其中,PN二极管和所述多个GPPMOS晶体管形成在被配置为与P型半导体衬底直接接触的N阱中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的