[发明专利]一种单片集成在光电探测器上的金属纳米光天线在审
| 申请号: | 201810315088.4 | 申请日: | 2018-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN108445563A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
| 发明(设计)人: | 姚鹏飞;李淘;李雪;邵秀梅;龚海梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B6/122 |
| 代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 李秀兰 |
| 地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属纳米 探测器 光电探测器 单片集成 低折射率 覆盖层 光天线 金属纳米天线 光吸收性能 从上至下 量子效率 球体阵列 制备工艺 光散射 局域场 入射光 折射率 球体 衬底 制备 响应 | ||
1.一种单片集成在光电探测器上的金属纳米光天线,由衬底(3)、金属纳米球体阵列(2)和低折射率覆盖层(1)构成,其特征在于:
所述的金属纳米天线结构为:从衬底(3)自下而上依次是金属纳米球体阵列(2)、低折射率覆盖层(1);
所述金属纳米球体阵列(2)排列周期p是700-900纳米,单个球体的直径d是300-500纳米,金属纳米球体阵列(2)的材料采用金、铝或银;
所述的低折射率覆盖层(1)的折射率在1.3至2.3之间,厚度h是400-600纳米,材料采用SiO2、Si3N4或者ZnS。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810315088.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





