[发明专利]图像传感器及其制造和控制方法在审
| 申请号： | 201810314680.2 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108428709A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王连红;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 光电二极管 深沟槽隔离 电荷存储层 电荷隧穿层 绝缘衬垫 电极 深沟槽 堆叠 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
光电二极管；以及
深沟槽隔离部，布置在所述光电二极管周围，所述深沟槽隔离部至少包括自下而上依次堆叠在深沟槽壁上的绝缘衬垫层、电荷存储层、电荷隧穿层和电极。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘衬垫层包括氧化硅。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷存储层包括具有电荷陷阱的电荷俘获材料。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷俘获材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷隧穿层由氧化硅构成。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷隧穿层的厚度范围为1到10nm。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电极包括掺杂的多晶硅。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述多晶硅为N型重掺杂的多晶硅。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器中包含的多个深沟槽隔离部中的电极是一体地形成的。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
电压施加部，被配置为向深沟槽隔离部中的电极施加负电压，以使得电子隧穿通过电荷隧穿层而被存储在电荷存储层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
