[发明专利]一种一体化荧光检测装置及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810310735.2 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108982435A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 王凯;周褀 申请(专利权)人: 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 左恒峰
地址: 528399 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 荧光检测装置 光电薄膜 双栅极 晶体管 微流控芯片 一体化 滤光膜 发射光滤光片 光电探测器 键合 制备 荧光标志物 检测装置 树脂涂布 制备过程 重复操作 烘烤 波长 光阻 显影 曝光 检测
【权利要求书】:

1.一种一体化荧光检测装置,其特征在于:包括用于装载荧光标志物的微流控芯片(1)、发射光滤光片(2)以及用于将光信号转换成电信号的光电探测器(3),所述微流控芯片(1)、发射光滤光片(2)以及光电探测器(3)依次排列设置,所述发射光滤光片(2)采用光刻技术集成在光电探测器(3)的上表面,所述微流控芯片(1)的下表面与集成了发射光滤光片(2)的光电探测器(3)的上表面键合成一体式结构,所述发射光滤光片(2)包括一个以上的对应不同波长的滤光膜(21),所述滤光膜(21)平行排列设置在光电探测器(3)的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种一体化荧光检测装置,其特征在于:所述微流控芯片(1)包括一个以上的用于装载荧光标志物的测试槽(11),所述测试槽(11)平行设置并与滤光膜(21)一一对应。

3.根据权利要求1所述的一种一体化荧光检测装置,其特征在于:所述光电探测器(3)为采用薄膜晶体管制备工艺制成的双栅极光电薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种一体化荧光检测装置,其特征在于:还包括用于生成激光的光源(4)以及将激光分解成单色光的激发光滤光片(5),所述激发光滤光片(5)、光源(4)依次设置在微流控芯片(1)上方。

5.根据权利要求1所述的一种一体化荧光检测装置,其特征在于:所述滤光膜(21)以马赛克式或条纹式或三角形式的排列方式集成在光电探测器(3)上。

6.一种一体化荧光检测装置的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

将光阻树脂涂布到双栅极光电薄膜晶体管上,盖上滤光膜遮挡掩模板进行曝光、显影、烘烤以及清洗,得到含有滤光膜(21)的双栅极光电薄膜晶体管;

采用另一种颜色的光阻树脂重复上述步骤得到含有一个以上的对应不同波长的滤光膜(21)的双栅极光电薄膜晶体管;

将集成了滤光膜(21)的双栅极光电薄膜晶体管与微流控芯片(1)键合。

7.根据权利要求6所述的一种一体化荧光检测装置的制备方法,其特征在于:在将光阻树脂涂布到双栅极光电薄膜晶体管上制备滤光膜(21)时,先在双栅极光电薄膜晶体管上涂布黑色光阻树脂,然后盖上矩阵遮挡掩模板进行曝光、显影、烘烤以及清洗,制得含有黑色矩阵的双栅极光电薄膜晶体管,所述滤光膜(21)集成在黑色矩阵上。

8.根据权利要求6所述的一种一体化荧光检测装置的制备方法,其特征在于:所述滤光膜(21)以马赛克式或条纹式或三角形式的排列方式集成在双栅极光电薄膜晶体管上。

9.根据权利要求6所述的一种一体化荧光检测装置的制备方法,其特征在于:将集成了滤光膜(21)的双栅极光电薄膜晶体管与微流控芯片(1)键合的具体步骤为:

对底部设置有矩形微通道的微流控芯片(1)以及双栅极光电薄膜晶体管进行表面改性处理,并置于等离子清洗机中进行等离子处理;

将处理后的微流控芯片(1)与双栅极光电薄膜晶体管对准,进行键合,其中双栅极光电薄膜晶体管上表面的滤光膜(21)嵌入到微流控芯片(1)底部的矩形微通道中。

10.根据权利要求6所述的一种一体化荧光检测装置的制备方法,其特征在于:将集成了滤光膜(21)的双栅极光电薄膜晶体管与微流控芯片(1)键合的具体步骤为:

对双栅极光电薄膜晶体管集成了滤光膜(21)的表面进行平坦化处理;

将微流控芯片(1)下表面与双栅极光电薄膜晶体管平坦化后的上表面对准,进行紫外照射以及加热硬化处理。

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