[发明专利]一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

准备目标晶圆；

在目标晶圆的一个表面上形成第一金属电极；

在第一金属电极上形成二氧化硅层；

准备衬底晶圆；

将衬底晶圆与目标晶圆上的二氧化硅层键合，以形成键合体；

将键合体中的目标晶圆的厚度减薄至目标厚度；

在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极；

去除二氧化硅层和衬底晶圆，以形成双面带电极的超薄晶片，

其中，所述目标厚度为2μm～100μm，

其中，所述目标晶圆为钽酸锂晶圆、铌酸锂晶圆、石英晶圆、碳化硅晶圆或蓝宝石晶圆，所述衬底晶圆为硅晶圆，

其中，第一金属电极和第二金属电极分别包括Au、Al、Pt、Cr及其合金中的一种，第一金属电极和第二金属电极的厚度均为5nm～200nm。

2.根据权利要求1所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括：在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极之后，在第二金属电极上形成红外吸收层，

其中，通过蒸镀来执行形成第一金属电极、形成第二金属电极和形成红外吸收层的步骤。

3.根据权利要求1所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述目标厚度为10μm～20μm，所述双面带电极的超薄晶片中的所述目标晶圆的两个面的表面粗糙度Ra0.5nm，所述双面带电极的超薄晶片中的所述目标晶圆的晶片翘曲度小于30μm。

4.根据权利要求1所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，第一金属电极和第二金属电极中的至少一个金属电极由Au或Pt制备，并且所述至少一个金属电极具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构，其中，粘附层是Cr层或Ti层。

5.根据权利要求1所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，第一金属电极和第二金属电极与目标晶圆之间的接触是欧姆接触或肖特基接触，并且通过工艺进行调节。

6.根据权利要求2所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述红外吸收层是炭黑或金黑。