[发明专利]一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810309093.4 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108410265A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 陈金菊;刘陈仁浪;冯哲圣;王焱;李培真 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C09D11/30 分类号: C09D11/30;C09D11/38
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 蒋秀清
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 过渡金属硫属化合物 油墨 纳米薄片 喷墨印刷 制备 二维材料 高稳定 良溶剂 水溶性高分子化合物 制备技术领域 物性调节剂 剥离溶剂 超声剥离 混合溶剂 取上清液 分散液 粉体 剥离
【说明书】:

发明属于二维材料制备技术领域,具体涉及一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法。针对现有的过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨浓度低、稳定性差,导致使用和存放不便的问题,本发明的技术方案是,制备方法包括如下步骤:[1]选取两种剥离溶剂,配制成二元良溶剂体系;[2]向二元良溶剂体系中加入水溶性高分子化合物,得到混合溶剂;[3]将通过超声剥离的方法从过渡金属硫属化合物粉体上剥离出过渡金属硫属化合物的纳米薄片;[4]离心分离,取上清液即为过渡金属硫属化合物纳米薄片分散液;[5]加入物性调节剂得到过渡金属硫属化合物油墨。本发明适用于过渡金属硫属化合物二维材料的喷墨印刷。

技术领域

本发明属于二维材料制备技术领域,具体涉及一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法。

背景技术

以石墨烯为代表的二维层状材料由于二维尺度上的局域特性,使其具有不同于三维块体材料的特殊物理及化学特性,被广泛应用于电子器件的制造中。与石墨烯结构类似,MoS2、WSe2、WS2等典型过渡金属硫属化合物(TMDs)也属于层状化合物,层与层之间由范德华力结合。单层或少层过渡金属硫属化合物具有强的光与物质交互作用、自旋轨道耦合、自旋-谷自由度等独特的电学及光学特性,使其在光电器件及谷器件领域具有极大的应用前景。

目前过渡金属硫属化合物获得纳米薄层结构的实现方法主要有:微机械力剥离法、锂离子插层法、液相超声剥离法和化学气相沉积法等。其中,微机械力剥离法产量低,无法大规模制备且可重复性差;锂离子插层法工艺耗时、制备条件苛刻;化学气相沉积法制备成本高、工艺控制复杂。液相超声剥离法通过选取合适的剥离溶剂,利用超声波振荡从块材上剥离出薄层材料,经离心后获得薄层纳米片,具有操作简单、制备技术灵活性高、适合规模化生产的显著优点。

过渡金属硫属化合物纳米薄片在应用于器件制造时,往往需转移至基底上,操作难度大且工艺周期长,仅可得到单个器件而难以实现器件的大面积制备。将过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨化并采用喷墨印刷技术,可以方便、快捷、低成本的实现大面积电子器件的制备。现有技术(Li J,Naiini M M,Vaziri S,et al.Inkjet Printing of MoS2[J].Advanced Functional Materials,2015,24(41):6524-6531.)利用二甲基甲酰胺为溶剂,乙基纤维素为稳定剂,采用液相超声剥离得到了二硫化钼纳米薄片;然后采用真空蒸馏的方法用松油醇置换二甲基甲酰胺得到二硫化钼/松油醇分散液;最后加入一定比例的乙醇混合得到喷墨印刷用油墨。该技术工艺过程复杂,所选取的剥离溶剂体系毒性大,所制备的油墨浓度仅为0.1mg/mL,且油墨的稳定性较差,仅能存放一周时间。

发明内容

针对现有的过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨浓度低、稳定性差,导致使用和存放不便的问题,本发明提供一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨,其目的在于:使得过渡金属硫属化合物纳米薄片能够在较高浓度的条件下具有很强的稳定性,从而方便使用和长时间保存。

本发明采用的技术方案如下:

一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨的制备方法,包括如下步骤:

[1]选取两种剥离溶剂,配制成二元良溶剂体系;

[2]向步骤[1]得到的二元良溶剂体系中加入水溶性高分子化合物,得到混合溶剂;

[3]将过渡金属硫属化合物粉体分散到步骤[2]得到的混合溶剂中,然后通过超声剥离的方法从过渡金属硫属化合物粉体上剥离出过渡金属硫属化合物的纳米薄片;

[4]对经过步骤[3]处理后得到的分散液进行离心分离,取上清液即为过渡金属硫属化合物纳米薄片分散液;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810309093.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top