[发明专利]MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造MEMS声学换能器元件（100）的方法，包括以下步骤：

提供第一衬底（200），所述第一衬底具有第一衬底侧（201）、对置的第二衬底侧（202）和布置在所述第一衬底侧（201）上的膜层（203），

提供在与第一衬底的第一衬底侧平行的方向上与所述膜层邻近并且不重叠的电路装置（204），

从所述第二衬底侧（202）起，在对置于所述膜层（203）的第一面部段（221）中实施第一蚀刻，直到第一深度（d₁），

从所述第二衬底侧（202）起，在大于所述第一面部段（221）并且包括所述第一面部段（221）的第二面部段（222）中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段（221）中使得所述膜层（203）裸露暴露并且为所述膜层（203）产生背部容积。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括将盖（240）安装到所述第二衬底侧（202）上，其中，所述盖（240）与所述第一衬底（200）一起形成闭合腔（208），所述闭合腔为所述膜层（203）提供所述背部容积。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蚀刻之前，在空出与所述膜层（203）对置的第一面部段（221）的情况下，将第一蚀刻掩模（211）布置在所述第二衬底侧（202）上，并且其中，实施使用所述第一蚀刻掩模（211）的所述第一蚀刻。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二蚀刻之前，将第二蚀刻掩模（212）布置在所述第二衬底侧（202）上，其中，所述第二蚀刻掩模（212）围绕所述第二面部段（222），并且其中，实施使用所述第二蚀刻掩模（212）的所述第二蚀刻。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蚀刻之前并且在所述第二蚀刻之前，将第一蚀刻掩模（211）和第二蚀刻掩模（212）布置在所述第二衬底侧（202）上，其中，所述第一蚀刻掩模（211）在与所述膜层（203）对置的第一面部段（221）中具有留空部，并且所述第二蚀刻掩模（212）围绕所述第二面部段（222），其中，使用所述第一蚀刻掩模（211）进行所述第一蚀刻，并且实施使用所述第二蚀刻掩模（212）的所述第二蚀刻。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一蚀刻掩模（211）至少部分地覆盖所述第二蚀刻掩模（212）。

7.根据权利要求中1所述的方法，还包括将遮盖部（301）布置在所述第一衬底侧（201）上，其中，所述遮盖部（301）与所述膜层（203）间隔并且至少部分地覆盖所述膜层（203），并且其中，所述遮盖部（301）具有对置于所述膜层（203）的开口（302）。

8.根据权利要求1或2所述的方法，还包括布置接触部段（205），以用于电接触所述MEMS声学换能器元件（100），其中，所述接触部段（205）布置在所述第一衬底侧（201）上。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述电路装置（204）是被集成在所述第一衬底侧（201）中的电路装置，或者其中，所述电路装置（204）是构造在单独元件（263）中的电路装置，所述电路装置与所述第一衬底（200）至少机械耦合或电耦合。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括布置接触部段（205），以用于电接触所述MEMS声学换能器元件（100），其中，所述接触部段（205）布置在所述电路装置（204）的背离于所述第一衬底侧（201）的侧面（601）上。

11.根据权利要求1或2所述的方法，还包括将所述电路装置（204）布置在所述背部容积（250）的内部。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括利用浇铸料至少浇铸所述第一衬底侧（201）。