[发明专利]一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

权利要求书

1.一种连续进行晶界扩散和热处理的方法，其特征在于：将合金工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述合金工件为Nd-Fe-B系烧结磁体，所述Nd-Fe-B系烧结磁体为TRE为28.8wt％-30.5wt％的Nd-Fe-B系烧结磁体；所述方法包括对所述处理箱依序分室进行的晶界扩散处理、第一级风冷却处理、热处理、和第二级风冷却处理，所述第一级风冷却处理的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散处理的温度至少相差550℃，所述第二级风冷却处理的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理的温度至少相差300℃；所述第一级风冷却处理中，所述合金工件的最初10min的平均冷却速度为5℃/min-12℃/min；所述第二级风冷却处理中，所述合金工件的最初10min的平均冷却速度为5℃/min-12℃/min；所述热处理中，不同区域的所述合金工件温差在±5℃以下；所述晶界扩散处理、第一级风冷却处理、热处理、和第二级风冷却处理分别于晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室进行，所述晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室依序设置且各个室之间设置有用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统；所述冷却室的压力50kPa-100kPa；所述晶界扩散室呈现方形结构，并包括两个相向设置在所述方形结构内壁的加热区域，所述处理箱放置在所述方形结构内的料架上；同样地，所述热处理室呈现方形结构，并包括两个相向设置在所述方形结构内壁的加热区域，所述处理箱放置在所述方形结构内的料架上，所述晶界扩散室和热处理室中，所述处理箱距两个相向设置的所述加热区域的距离相同，距离为5cm-20cm。

2.根据权利要求1所述连续进行晶界扩散和热处理的方法，其特征在于：晶界扩散温度为800℃-1000℃，所述第一冷却室的冷却风温度为25℃-150℃，所述热处理室的热处理温度为400℃-650℃，所述第二冷却室的冷却风温度为25℃-100℃。

3.根据权利要求1所述连续进行晶界扩散和热处理的方法，其特征在于：所述相对独立的处理箱为密闭盒体，所述密闭盒体包括相互配合的盒体和盖体。

4.根据权利要求1所述连续进行晶界扩散和热处理的方法，其特征在于：所述风冷系统为采用惰性气体的风冷系统。