[发明专利]包括宽带滤色器的图像传感器在审
申请号: | 201810301464.4 | 申请日: | 2018-04-04 |
公开(公告)号: | CN108695351A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 尹鉐皓;卢淑英;金一焕;朴弘圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤色器 像素 图像传感器 波段 分色元件 通带 滤色器层 像素阵列 混合物 宽带 配置 | ||
1.一种图像传感器,包括:
像素阵列,包括布置在第一像素行和第二像素行中的第一像素、第二像素和第三像素,所述第一像素行包括交替地布置的多个所述第一像素和多个所述第二像素并且所述第二像素行包括交替地布置的多个所述第二像素和多个所述第三像素;
分色元件,面对所述多个第二像素的每个并且配置为朝向所述多个第二像素的其中之一引导第二波段中的光并且朝向所述多个第一像素的其中之一或所述多个第三像素的其中之一引导第一波段中的光和第三波段中的光;以及
滤色器层,包括对应于所述多个第一像素的每个的第一滤色器、对应于所述多个第二像素的每个的第二滤色器、以及对应于所述多个第三像素的每个的第三滤色器,
其中,对应于所述第一波段的第一波道、对应于所述第二波段的第二波道和对应于所述第三波段的第三波道之间的平均串扰是从17%到25%。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二滤色器的通带大于所述第一滤色器的通带并且大于所述第三滤色器的通带。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一波段是630nm±10nm,所述第二波段是540nm±10nm,所述第三波段是450nm±10nm。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二滤色器包括有机染料和有机颜料中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述第二滤色器的厚度小于所述第一滤色器的厚度并且小于所述第三滤色器的厚度。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述第二滤色器中的所述有机染料和所述有机颜料的所述至少一种的浓度低于所述第一滤色器和所述第三滤色器中的所述有机染料和所述有机颜料的所述至少一种的浓度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二滤色器包括无机材料。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述第二滤色器包括具有第一折射率的第一电介质层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二电介质层,以及
所述第一电介质层和所述第二电介质层交替地堆叠至少一次。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述第二滤色器包括精细图案结构,所述精细图案结构被图案化以使得所述第二滤色器透射整个所述第二波段中的光、所述第一波段的比整个所述第一波段小的一部分中的光、以及所述第三波段的比整个所述第三波段小的一部分中的光。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一滤色器配置为透射所述第一波段中的光,
所述第二滤色器配置为透射整个所述第二波段中的光、所述第一波段的比整个所述第一波段小的一部分中的光、以及所述第三波段的比整个所述第三波段小的一部分中的光,以及
所述第三滤色器配置为透射所述第三波段中的光。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一滤色器配置为透射所述第一波段中的光,
所述第二滤色器配置为透射整个所述第二波段中的光、所述第一波段的比整个所述第一波段小的一部分中的光、以及所述第三波段的比整个所述第三波段小的一部分中的光,以及
所述第三滤色器配置为透射所述第一波段中的光和所述第三波段中的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的