[发明专利]去除慈姑培养过程中内生菌的方法、培养方法以及应用有效

专利信息
申请号: 201810297284.3 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN108703068B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 高美萍;林志城;何新华;罗聪;熊发前 申请(专利权)人: 广西壮族自治区农业科学院生物技术研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 南宁市吉昌知识产权代理事务所(普通合伙) 45125 代理人: 李秋琦
地址: 530007 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 去除 慈姑 培养 过程 中内生菌 方法 以及 应用
【权利要求书】:

1.一种慈姑的培养方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)初代诱导培养:

将切取的慈姑外植体接种在液体培养基上,在温度为24~30℃、光照强度为1500~2000lux的条件下进行初代诱导培养;其中,液体培养基包含1/2~1的MS+1~3mg/L的6-BA+0.01~0.05mg/L的NAA+20~30g/L的蔗糖,培养基中含有50mg/L~400mg/L的硫酸链霉素和50mg/L~400mg/L的氨苄西林,培养基中每瓶含有30ml~40ml培养基;

(2)继代增殖培养:

将初代培养所得慈姑芽转接到半固体培养基进行继代增殖培养,其中,半固体培养基包含:MS+1~3mg/L的6-BA+0.01~0.05mg/L的NAA+3.5g/L的卡拉胶+20~30g/L的蔗糖,培养基中含有50mg/L~400mg/L的硫酸链霉素和50mg/L~400mg/L的氨苄西林,每瓶含有20~30ml培养基,培养条件是:温度为在24~28℃,光照强度为1500~3000lux;以及

(3)生根培养:

将继代苗接种在半固体培养基生根,生根培养的条件是:温度为24~28℃,环境为光强强度为1500~3000lux的光照培养室内,培养时间10d~15d,待到苗高为5cm~8cm、茎粗壮、根系发达时即可将慈姑苗转移到炼苗大棚培养。

2.根据权利要求1所述的培养方法,其特征在于,所述初代诱导培养步骤中的光照时间为16h;

和/或,所述继代增殖培养步骤中的光照时间为12h。

3. 一种增殖慈姑组培苗的处理方法,其特征在于,所述方法包括:

(1)将慈姑组培苗接入液体培养基中,所述液体培养基的配方包括:MS+2.5mg/L的6-BA+0.01mg/L的NAA+30g/L的蔗糖,液体培养基中含有150mg/L的硫酸链霉素和100mg/L的氨苄西林;以及

(2)继续培养1~2天后液体培养的组培苗接入半固体培养基,所述半固体培养基的配方包括:MS+2.5mg/L的6-BA+0.01mg/L的NAA+3.5g/L的卡拉胶+30g/L的蔗糖,半固体培养基中含有150mg/L的硫酸链霉素和100mg/L的氨苄西林。

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