[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810297141.2 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695250A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;刘畅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔断元件 半导体装置 多晶硅 非掺杂多晶硅 层间绝缘膜 俯视观察 激光照射 硅化物 上表面 衬底 基底 半导体 激光 损伤 配置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：
半导体衬底；以及
熔断元件，其配置于所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜上，
所述熔断元件由多晶硅和设置在所述多晶硅的上表面的硅化物形成，俯视观察时，所述多晶硅的被包含在激光照射的范围内的区域为未导入杂质的非掺杂多晶硅。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
对于形成所述熔断元件的所述多晶硅，与所述非掺杂多晶硅的区域相邻地具有导入了杂质的掺杂多晶硅的区域。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述激光将所述硅化物切断。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
俯视观察时，在所述激光照射的范围内，所述非掺杂多晶硅的区域比所述硅化物的区域大。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述非掺杂多晶硅的区域的膜厚比所述硅化物厚。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述激光将所述硅化物切断。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
俯视观察时，在所述激光照射的范围内，所述非掺杂多晶硅的区域比所述硅化物的区域大。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述非掺杂多晶硅的区域的膜厚比所述硅化物厚。
9.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：
半导体衬底；以及
熔断元件，其配置于所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜上，
所述熔断元件包含：
非掺杂多晶硅的区域，在该非掺杂多晶硅中未导入杂质；
掺杂多晶硅的区域，该掺杂多晶硅的区域设置在所述非掺杂多晶硅的区域的两端；以及
硅化物，其设置在所述非掺杂多晶硅的区域以及在所述两端设置的掺杂多晶硅的区域的上表面，
通过激光的照射，将设置于所述非掺杂多晶硅的区域的上表面的硅化物切断。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
