[发明专利]一种黑硅的碱修饰方法在审
| 申请号： | 201810292774.4 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108615788A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王东;金井升;刘长明;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修饰 多晶硅片 金刚线 质量比 黑硅 混合溶液中 清洗 反应离子刻蚀 表面形成 工艺窗口 工艺难度 化学溶液 控制效果 可控性 良品率 量产性 绒面 | ||
1.一种黑硅的碱修饰方法，其特征在于，包括：
步骤1，对金刚线多晶硅片进行反应离子刻蚀，在所述金刚线多晶硅片表面形成绒面；
步骤2，将所述金刚线多晶硅片置于质量比为2％～5％的KOH溶液与质量比为3％～10％的H2O2溶液的混合溶液中清洗1.5min～2.5min。
2.如权利要求1所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，在所述步骤1之前，还包括：
步骤3，对所述金刚线多晶硅片进行预制绒。
3.如权利要求2所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，所述步骤3包括：
对所述金刚线多晶硅片采用HF/HNO3溶液进行预制绒。
4.如权利要求3所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，所述步骤1包括：
在SF6和O2氛围下对所述金刚线多晶硅片表面进行反应离子刻蚀，在所述硅表面形成绒面。
5.如权利要求4所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，在所述步骤4之后，
步骤4，去除所述金刚线多晶硅片表面的氧化层。
6.如权利要求5所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，在所述步骤4之后，包括：
步骤5，对所述金刚线多晶硅片采用HF与HCl的混合溶液进行清洗，去除所述金刚线多晶硅片表面的金属离子，使的所述金刚线多晶硅片疏水。
7.如权利要求6所述黑硅的碱修饰方法，其特征在于，在所述步骤5之后还包括：
对所述金刚线多晶硅片采用丙酮、无水乙醇和去离子水逐步清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
