[发明专利]放电管生产方法

说明书

本发明公开了一种放电管生产方法，依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、和金属步骤。本发明通过流程优化可以大大改善良率并降低成本使产品提高市场竞争力。

技术领域

本发明涉及一种放电管生产方法。

背景技术

现有放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件，若其两端的电压高过其保护规格值时，其内部会出现短路现象，并吸收掉输入的过高压。现有放电管在生产过程中由于基区工艺复杂导致成本高且由于工艺的繁复导致良率波动大，对产品交期和产能造成很大影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种放电管生产方法，通过流程优化可以大大改善良率并降低成本使产品提高市场竞争力。

根据本发明的目的提出一种放电管生产方法，其依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、和金属步骤。

在上述技术方案的基础上，进一步包括如下附属技术方案：

所述基级扩散步骤中基级的浓度为42-57ohm/sq。

所述发射级扩散步骤中的发射级面积为1633K平方微米－1814K平方微米。

所述发射级扩散步骤中的发射极推进时间为180分钟－220分钟。

所述激光打标步骤中利用激光的高温在硅表面形成固定的图形凹坑。

所述前基级扩散步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成P+型前基级。高温范围在1100℃到1275℃之间，需要热电偶测量监控。

所述扩展基级扩散步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成N+型扩展基级。

所述基级扩散步骤步骤中通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成N+型基级。

所述发射级扩散步骤中通过高温扩散工艺在N型半导体硅体内形成P+型发射级。

所述钝化层沉积步骤中通过电泳法使带负极的玻璃粉末在正电场的吸引下沉积在硅片表面形成钝化层保护PN结，且金属步骤中通过化学反应法将含磷的镍金属和硅形成硅镍合金用作后续封装的焊接脚引出之用。

本发明优点是：

本发明通过流程优化可以大大改善良率并降低成本使产品提高市场竞争力。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

图1是本发明的流程图。

图2是本发明中放电管的结构图。

具体实施方式

实施例：如图1所示，本发明提供了一种放电管生产方法的具体实施例，其依次包括以下步骤：激光打标步骤、前基级扩散步骤、扩展基级扩散步骤、基级扩散步骤、发射级扩散步骤、钝化层沉积步骤、金属步骤。

激光打标步骤的工作原理：利用激光的高温在硅表面形成固定的图形凹坑以作为产品标识和对准标识。采用设备：激光打印机，原料：硅、激光发生器。

前基级扩散步骤的工作原理：通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成P+型前基级。采用设备：高温扩散炉，原料：硅、三溴化硼、氮气、氧气。

扩展基级扩散步骤的工作原理：通过高温扩散工艺在P型半导体硅体内形成N+型扩展基级。采用设备：高温扩散炉，原料：硅、三溴化硼、氮气、氧气。