[发明专利]光电传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电传感器，包括：基底，设置在所述基底上的光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设置在所述基底上、且背离所述光电二极管的一侧的非可见光转换层，所述非可见光转换层用于将非可见光转换成可见光，以供所述光电二极管将所述可见光转换为电信号。

2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电二极管包括：沿背离所述基底方向依次设置的第二极、PIN半导体层、第一极；其中，

所述光电二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极一体成型。

3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，在所述光电二极管的PIN半导体层上设置有层间绝缘层，且在所述层间绝缘层至少与所述PIN半导体层对应的位置处设置有过孔，所述光电二极管的第一极通过所述过孔与所述PIN半导体层连接；

沿着背离所述基底的方向，所述薄膜晶体管的源极、漏极、有源层、栅极依次设置在所述层间绝缘层上。

4.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第二极的中间位置处设置有容纳部，用于容纳所述可见光。

5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：保护层，设置在所述非可见光转换层背离所述基底的一侧。

6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述非可见光转换层的材料包括碘化铯。

7.一种光电传感器的制备方法，其特征在于，所述光电传感器为权利要求1-6中任一项所述的光电传感器，所述制备方法包括：

在基底上形成非可见光转换层；

在所述基底上、且背离所述非可见光转换层的一侧，形成光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述光电二极管包括：沿背离所述基底方向依次设置的第二极、PIN半导体层、第一极；其中，所述光电二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极，采用一次构图工艺形成。

9.根据权利要求8所述的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上、且背离所述非可见光转换层的一侧，形成光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管的步骤具体包括：

在所述光电二极管的PIN层上形成层间绝缘层，且在所述层间绝缘层至少与所述PIN半导体层对应的位置处形成过孔；

通过构图工艺，形成包括薄膜晶体管的源极、漏极，以及光电二极管的第一极的图形；其中，所述光电二极管的第一极通过所述过孔与所述PIN半导体层连接；

通过构图工艺，形成包括薄膜晶体管的有源层的图形；其中，所述薄膜晶体管的源极与所述有源层的源极接触区连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述有源层的漏极接触区连接；

形成栅极绝缘层；

通过构图工艺，形成包括薄膜晶体管的栅极的图形。

10.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成非可见光转换层的步骤之后，还包括：在所述非可见光转换层背离所述基底的一侧形成保护层。