[发明专利]制造半导体装置的方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；

在所述第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；

为所述第一源极/漏极区掺杂镓；

在掺有镓的所述第一源极/漏极区上执行退火工艺；以及

形成耦接至所述第一源极/漏极区的第一接触图案，

其中，所述第一源极/漏极区包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体元素，

其中，形成所述第一接触图案的步骤包括：

在所述衬底上形成层间绝缘层，以覆盖所述第一源极/漏极区；

形成接触孔，以穿过所述层间绝缘层并暴露出所述第一源极/漏极区；

在所述接触孔中形成阻挡层；以及

在所述接触孔中形成导电层，并且

形成所述第一接触图案的步骤还包括形成接触间隔件层以填充接触孔的一部分，并且

在所述接触间隔件层上执行为所述第一源极/漏极区掺杂镓的步骤，

其中，所述第一源极/漏极区中的镓的浓度在从所述第一接触图案朝着所述第一源极/漏极区的下部的方向上减小。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，为所述第一源极/漏极区掺杂的步骤包括：按照1.0E14/cm²至1.0E16/cm²的范围内的剂量和在1keV至10keV的范围内的功率下执行离子注入工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在从-100℃至0℃的范围内的温度下执行所述离子注入工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括硅(Si)，并且

所述第一源极/漏极区包括硅锗(SiGe)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一源极/漏极区的步骤包括：形成第一半导体图案、在所述第一半导体图案上形成第二半导体图案和在所述第二半导体图案上形成第三半导体图案，

所述第二半导体图案中的锗的原子百分数高于所述第一半导体图案中的锗的原子百分数，

所述第三半导体图案中的锗的原子百分数高于所述第二半导体图案中的锗的原子百分数，并且

在所述第三半导体图案中掺杂镓。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一接触图案形成为接触所述第三半导体图案并且与所述第一半导体图案和所述第二半导体图案间隔开。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

将所述衬底的上部图案化，以形成第二有源图案；

在所述第二有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第二源极/漏极区；以及

形成耦接至所述第二源极/漏极区的第二接触图案，

其中所述第二源极/漏极区中包括的半导体元素与所述衬底中包括的半导体元素相同，并且

除所述第二源极/漏极区之外，将镓选择性地掺杂在所述第一源极/漏极区中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，退火工艺是低温浸泡退火工艺、闪光灯退火工艺、激光退火工艺或尖峰退火工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上形成牺牲图案以与所述第一有源图案交叉；以及

将所述牺牲图案替换为栅电极，

其中，所述第一源极/漏极区形成为与所述牺牲图案的一侧邻近。