[发明专利]配备有腔体单元的半导体工程装置在审

专利信息
申请号: 201810286512.7 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108695204A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 徐基源 申请(专利权)人: 技术发现者联合有限公司;徐基源
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 丁文蕴;李平
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 腔体部 等离子体 腔体单元 工程装置 卡盘单元 半导体 可拆卸的 配备 基板 裸露 外部 配置 支撑 加工
【说明书】:

发明的半导体工程装置包括:腔体单元,配备有生成等离子体的内部空间;以及,卡盘单元,配置于上述内部空间,对通过上述等离子体进行加工的基板进行支撑;其中,上述腔体单元包括可拆卸的第1腔体部以及第2腔体部,当上述第1腔体部与上述第2腔体部相互结合时形成生成上述等离子体的上述内部空间,当上述第1腔体部与上述第2腔体部相互分离时能够使上述卡盘单元裸露在外部。

技术领域

本发明涉及一种配备有对用于加工晶圆等基板的真空腔体进行标准化的腔体单元的半导体工程装置。

背景技术

为了执行用于在半导体晶圆(wafer)的表面形成精细图案的表面处理而使用的半导体工程装置,能够分为用于形成在光罩上所设计的图形的光刻(Photo)工程装置、用于去除晶圆上的图形薄膜的蚀刻(etching)工程装置、用于在晶圆上层叠形成图形薄膜的沉积(Deposition)工程装置等。

用于执行不同工程的半导体工程装置所具有的共同点在于,都需要配备用于对晶圆进行加工的腔体、用于在腔体内形成真空的真空模块、用于对投入到腔体内部的晶圆进行支撑的卡盘模块、用于对上述各个模块进行整体支撑的框架模块、用于向真空腔体的内部供应气体的气体供应模块、用于形成蚀刻或沉积所需能量的等离子体或微波的能量源模块。

半导体工程装置由日本的TEL(Tokyo electron)公司、美国的LRC(Lam Research)公司、美国的AMT(Applied Materials)公司等进行开发。

上述各个公司的系统特征各不相同,而且装置的特性也会根据所执行工程而有所不同,即使是在用于执行相同工程的情况下也会根据装置的制造公司而采用不同的结构,甚至于相同制造公司的装置也并没有实现标准化。首先,当工程技术从20纳米(nano)工程升级到10纳米(nano)工程时,需要引进完全不同的全新装置。虽然国际半导体协会正在推行Semi标准,但是并没有对半导体工程装置整体进行标准化。

例如,在对半导体工厂进行扩建或在工程技术发生变化时,需要对按照现有的工程进行定制化设计的蚀刻工程腔体进行大规模的改动或再次购买全新的工程装置。

例如,即使是同样适用于蚀刻工程,也具有介电薄膜的蚀刻工程装置与导电薄膜的蚀刻工程装置之间的兼容性非常低的问题。

而且,为了对卡盘单元进行维护保养而使卡盘单元外露时,需要在拆下连接到腔体中的所有模块之后,由作业人员从腔体的上侧插入工具并对卡盘单元进行保养,因此会导致对腔体内部模块的维护保养非常困难的问题。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有问题而提供一种配备有通过模块化设计而实现标准化的腔体单元的半导体工程装置。

本发明的目的在于确保用于执行相同工程或类似工程的半导体工程装置的兼容性,从而提供能够轻易地移植到其他工程装置中的具有扩展性的工程装置。

通过本发明,能够通过导入用于实现标准化的模块(Module)设计概念,从而只需要更换构成半导体工程装置的几个模块(Module),即可实时地将其用于执行其他工程。此外,还能够在蚀刻工程装置中,将用于对介电薄膜进行蚀刻的装置实时地转换成用于对导电薄膜进行蚀刻的装置。

通过本发明,能够轻易地将蚀刻工程装置转换成沉积工程装置,甚至于在沉积工程装置中也能够根据不同的工程需求轻易地转换成多种不同类型的沉积工程装置。

本发明能够通过适用标准化的腔体单元,摆脱制造公司之间的差异限制,在装置的生产、适用、维护、保养、升级等方面实现实时性和高效化。

适用本发明的半导体工程装置,能够包括:卡盘单元,用于安置基板;以及,腔体单元,用于收容上述卡盘单元,且形成有用于对上述基板进行加工的内部空间。

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