[发明专利]一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台及其实现方法

说明书

本发明公开了一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台，包括基座、Y1向气浮导轨、Y2向气浮导轨、Y1向气浮滑块、Y2向气浮滑块、X1向气浮横梁导轨、X2向气浮横梁导轨、Y1向驱动连接件、Y2向驱动连接件、X1向气浮滑块、X2向气浮滑块、载物板、Y1向电机定子、Y1向电机动子、Y2向电机定子、Y2向电机动子、X1向电机定子1、X2向电机定子2、上光谱共焦传感器、Z轴滑台和下光谱聚焦传感器；本发明还公开了一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台的实现方法。本发明采用XY双向双驱气浮导轨，可使载物平面跳动1个微米，以满足行业日愈严格的检测要求；本发明通过采用气浮导轨设计，避免像传统的机械导轨采用油脂润滑进行密封维护。

技术领域

本发明属于晶圆检测设备技术领域，具体涉及一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台及其实现方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％。

晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。

现有用于晶圆厚度、弯曲度检测的运动平台主要为机械导轨平台，受机械导轨精度和零件加工精度限制载物平面跳动只能做到几个微米，且安装繁琐，由于机械导轨为油脂润滑，还需密封和维护

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台及其实现方法，以解决上述背景技术中提出的问题。本发明提供的一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台，具有安装维护简单，不污染洁净室的特点。

本发明另一目的在于提供一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台的实现方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于晶圆厚度及弯曲度检测的运动平台，包括基座、Y1向气浮导轨、Y2向气浮导轨、Y1向气浮滑块、Y2向气浮滑块、X1向气浮横梁导轨、X2向气浮横梁导轨、Y1向驱动连接件、Y2向驱动连接件、、X1向气浮滑块、X2向气浮滑块、载物板、Y1向电机定子、Y1向电机动子、Y2向电机定子、Y2向电机动子、X1向电机定子、X2向电机定子、上光谱共焦传感器、Z轴滑台和下光谱聚焦传感器；其中，所述基座的上端一侧安装有左立柱，所述基座的另一侧安装有右立柱，所述右立柱和左立柱的上端安装有大理石横梁，所述基座的上端正对大理石横梁下端位置分别设置有Y1向气浮导轨和Y2向气浮导轨，所述Y1向气浮导轨和Y2向气浮导轨的内侧分别安装有Y1向气浮滑块和Y2向气浮滑块，所述Y1向气浮滑块和Y2向气浮滑块之间固定安装有X1向气浮横梁导轨和X2向气浮横梁导轨，所述X1向气浮横梁导轨和X2向气浮横梁导轨的上端分别对应安装有X1向气浮滑块和X2向气浮滑块，X1向气浮横梁导轨和X2向气浮横梁导轨与X1向气浮滑块和X2向气浮滑块通过载物板连接件一、载物板连接件二与载物板连接，所述X1向气浮横梁导轨和X2向气浮横梁导轨的内侧分别设置有X1向电机定子和X2向电机定子，所述载物板连接件一和载物板连接件二的下端分别安装有X1向气浮滑块、X1电机动子和X2向气浮滑块、X2电机动子，所述X1向气浮横梁导轨和X2向气浮横梁导轨的下端分别安装有X向导轨加强筋一和X向导轨加强筋二，所述大理石横梁的中间位置安装有Z轴滑台，所述Z轴滑台与大理石横梁之间设置有Z轴滑台连接件，所述Z轴滑台靠近载物板的一侧安装有上光谱共焦传感器，所述Y1向气浮导轨和Y2向气浮导轨的外侧分别安装有Y1向电机定子和Y2向电机定子，所述Y1向电机定子和Y2向电机定子的上端分别安装有Y1向电机动子和Y2向电机动子，所述Y1向电机动子和Y2向电机动子的上端分别安装有Y1向驱动连接件和Y2向驱动连接件，所述载物板的内部凹槽与上光谱共焦传感器对应位置设置有下光谱聚焦传感器。