[发明专利]一种高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路在审
申请号: | 201810283148.9 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN108512519A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 罗显虎;程序;张亮;韩江安;陈凤军;夏鑫淋;陈科帆;成彬彬;邓贤进 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H03H7/01 | 分类号: | H03H7/01 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621999 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高阻带 滤波器电路 阻带抑制度 滤波器 带通滤波器 选择性电路 高选择性 滤波电路 芯片电路 电路 射频微波信号 信号传输方式 传输零点 传输通路 工作频段 技术手段 交叉耦合 输出端口 输入端口 系统集成 最后信号 集成度 输出 | ||
1.一种高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:包括高阻带抑制度滤波器电路和提高阻带抑制度电路,其中高阻带抑制度滤波器电路包括基础滤波电路、提高选择性电路;
具体信号传输方式如下:射频微波信号通过输入端口进入基础滤波电路,通过基础滤波器电路对需要的工作频段内的信号进行选择,然后通过提高选择性电路的传输通路实现交叉耦合,最后信号通过提高阻带抑制度电路提高信号的阻带抑制度,然后信号通过输出端口输出;
所述提高阻带抑制度电路所述提高阻带抑制度电路为改进Pi型传输零点电路结构,所述改进Pi型传输零点电路结构是由传统Pi型传输零点电路结构与并联电容C_z1构成,其中传统Pi型传输零点电路结构由串联的电感L_z1、电感L_z2、电容C_z2构成。
2.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述基础滤波电路包括两个输出端口电容、两个电路谐振单元、一个级间耦合单元构成,两个输出端口电容包括电容C_out1与电容C_out2,两个电路谐振单元包括电路谐振单元一和电路谐振单元二,每个电路谐振单元均由一个电容和一个电感并联构成,级间耦合单元为一个电感L_crs;级间耦合单元连接于两个输出端口电容之间,电容C_out1与级间耦合单元之间并联有电路谐振单元一,电容C_out2与级间耦合单元之间并联有电路谐振单元二。
3.根据权利要求2所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述基础滤波电路通过两个端口电容对电路的外部耦合的调节,进而实现端口匹配;通过谐振器谐振耦合理论设计出电路谐振单元的值,根据电路谐振单元的元件值的调节实现电路所需的工作频率;通过级间耦合单元的值的调节,实现电路工作带宽的调节。
4.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述提高选择性电路为一交叉耦合电容C_crs,该交叉耦合电容C_crs的一端连接于信号的输入端口,另一端连接于基础滤波电路的输出端口;通过交叉耦合电容C_crs调节滤波器传输响应相位关系,在通带上下边带实现一对传输零点。
5.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:对所述高选择性高阻带抑制滤波器芯片电路的芯片化设计,采用GaAS、GaN、CMOS或SiGe的工艺制作。
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