[发明专利]一种高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路在审

专利信息
申请号: 201810283148.9 申请日: 2018-04-02
公开(公告)号: CN108512519A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 罗显虎;程序;张亮;韩江安;陈凤军;夏鑫淋;陈科帆;成彬彬;邓贤进 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H03H7/01 分类号: H03H7/01
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高阻带 滤波器电路 阻带抑制度 滤波器 带通滤波器 选择性电路 高选择性 滤波电路 芯片电路 电路 射频微波信号 信号传输方式 传输零点 传输通路 工作频段 技术手段 交叉耦合 输出端口 输入端口 系统集成 最后信号 集成度 输出
【权利要求书】:

1.一种高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:包括高阻带抑制度滤波器电路和提高阻带抑制度电路,其中高阻带抑制度滤波器电路包括基础滤波电路、提高选择性电路;

具体信号传输方式如下:射频微波信号通过输入端口进入基础滤波电路,通过基础滤波器电路对需要的工作频段内的信号进行选择,然后通过提高选择性电路的传输通路实现交叉耦合,最后信号通过提高阻带抑制度电路提高信号的阻带抑制度,然后信号通过输出端口输出;

所述提高阻带抑制度电路所述提高阻带抑制度电路为改进Pi型传输零点电路结构,所述改进Pi型传输零点电路结构是由传统Pi型传输零点电路结构与并联电容C_z1构成,其中传统Pi型传输零点电路结构由串联的电感L_z1、电感L_z2、电容C_z2构成。

2.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述基础滤波电路包括两个输出端口电容、两个电路谐振单元、一个级间耦合单元构成,两个输出端口电容包括电容C_out1与电容C_out2,两个电路谐振单元包括电路谐振单元一和电路谐振单元二,每个电路谐振单元均由一个电容和一个电感并联构成,级间耦合单元为一个电感L_crs;级间耦合单元连接于两个输出端口电容之间,电容C_out1与级间耦合单元之间并联有电路谐振单元一,电容C_out2与级间耦合单元之间并联有电路谐振单元二。

3.根据权利要求2所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述基础滤波电路通过两个端口电容对电路的外部耦合的调节,进而实现端口匹配;通过谐振器谐振耦合理论设计出电路谐振单元的值,根据电路谐振单元的元件值的调节实现电路所需的工作频率;通过级间耦合单元的值的调节,实现电路工作带宽的调节。

4.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:所述提高选择性电路为一交叉耦合电容C_crs,该交叉耦合电容C_crs的一端连接于信号的输入端口,另一端连接于基础滤波电路的输出端口;通过交叉耦合电容C_crs调节滤波器传输响应相位关系,在通带上下边带实现一对传输零点。

5.根据权利要求1所述的高选择性高阻带抑制的带通滤波器芯片电路,其特征在于:对所述高选择性高阻带抑制滤波器芯片电路的芯片化设计,采用GaAS、GaN、CMOS或SiGe的工艺制作。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所,未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810283148.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top