[发明专利]一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置

说明书

本发明提供了一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置，通过本申请实施例提供的一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置，通过获得动态大小的SLC Cache区域；将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域，其中，所述第一写入区域为SLC直接写入区域，所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域；如果所述第一写入区域未满，则Host数据直接写入所述第一写入区域；如果所述第一写入区域已满，则开启所述第二写入区域，将Host数据写入第二写入区域。解决了现有技术中TLC NAND编程速度小于MLC，无法满足用户对SSD写入速度的要求的技术问题，实现了在该模式下，可以保证持续写入性能达到TLC的最大速度，在达到最大性能的同时，确保了最小可能的数据丢失的技术效果。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置。

背景技术

由于NAND Flash技术的成熟与普及，固态硬盘变得越来越稳定可靠，相比于传统硬盘巨大的性能优势，固态硬盘逐渐取代传统硬盘。

随着固态硬盘的大量应用，尤其是TLC NAND的快速成熟，越来越多的固态硬盘开始使用TLC NAND，但是TLC NAND编程速度小于MLC，无法满足用户对SSD写入速度的要求。

发明内容

本发明实施例提供了一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置，解决了现有技术中TLC NAND编程速度小于MLC，无法满足用户对SSD写入速度的要求的技术问题，实现了在该模式下，可以保证持续写入性能达到TLC的最大速度，在达到最大性能的同时，确保了最小可能的数据丢失的技术效果。

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置。

第一方面，本发明提供了一种用于SSD的SLC Cache的方法，所述方法包括：获得动态大小的SLC Cache区域；将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域，其中，所述第一写入区域为SLC直接写入区域，所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域；如果所述第一写入区域未满，则Host数据直接写入所述第一写入区域；如果所述第一写入区域已满，则开启所述第二写入区域，将Host数据写入第二写入区域。

优选的，所述方法还包括：如果所述第二写入区域的TLC块写入完成，则擦除与所述TLC同时写入的SLC块。

优选的，所述方法还包括：如果Host数据写操作选择PE较少的所述第二写入区域中的SLC块，继续SLC块和TLC块同时写入。

优选的，所述方法还包括：如果Host数据写操作停止，则将所述第一写入区域的有效数据搬到所述第二写入区域中的TLC块中；

优选的，所述方法还包括：如果在所述第二写入区域同时写入过程中发生异常掉电，则擦除未关闭的TLC块，在重建掉电时写入的SLC块即可。

第二方面，本发明提供了一种用于SSD的SLC Cache的装置，所述装置包括：

第一获得单元，所述第一获得单元用于获得动态大小的SLC Cache区域；

第一分区单元，所述第一分区单元用于将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域，其中，所述第一写入区域为SLC直接写入区域，所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域；

第一写入单元，所述第一写入单元用于如果所述第一写入区域未满，则Host数据直接写入所述第一写入区域；

第二写入单元，所述第二写入单元用于如果所述第一写入区域已满，则开启所述第二写入区域，将Host数据写入第二写入区域。

优选地，所述装置还包括：