[发明专利]用于热处理腔室的高温测量过滤器有效
| 申请号: | 201810278612.5 | 申请日: | 2014-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN108598017B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;布鲁斯·E·亚当斯;斯蒂芬·莫法特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 热处理 高温 测量 过滤器 | ||
1.一种用于热处理腔室中的设备,所述设备包括:
透明介质,所述透明介质具有多个表面,所述透明介质具有几何形状,其中所述透明介质中心区域的厚度小于所述透明介质周边区域的厚度,并且其中所述透明介质绕垂直轴对称且沿水平面对称;
反射性涂层,所述反射性涂层设置在所述多个表面中的至少两个表面上;和
折射率匹配材料,所述折射率匹配材料设置在所述反射性涂层上、邻近于所述多个表面的至少一个。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述透明介质包括石英。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述反射性涂层设置在所述透明介质的第一表面和所述透明介质的第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对。
4.如权利要求1所述的设备,进一步包括:
吸收性涂层,所述吸收性涂层设置在所述周边区域上。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述反射性涂层包括介电材料。
6.一种用于处理基板的系统,所述系统包括:
辐射源;
高温计;和
透明介质,所述透明介质设置在所述辐射源与所述高温计之间,所述透明介质进一步包括:
多个表面,所述透明介质具有几何形状,其中所述透明介质中心区域的厚度小于所述透明介质周边区域的厚度,并且其中所述透明介质绕垂直轴对称且沿水平面对称;
反射性涂层,所述反射性涂层设置在所述多个表面中的至少两个表面上;和
折射率匹配材料,所述折射率匹配材料设置在所述反射性涂层上、邻近于所述多个表面的至少一个。
7.如权利要求6所述的系统,其中所述高温计检测700nm至1000nm之间的波长。
8.如权利要求6所述的系统,其中所述透明介质包括石英。
9.如权利要求6所述的系统,其中所述反射性涂层设置在所述透明介质的第一表面和所述透明介质的第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对。
10.如权利要求6所述的系统,进一步包括:
吸收性涂层,所述吸收性涂层设置在所述周边区域上。
11.如权利要求6所述的系统,其中所述反射性涂层包括介电材料。
12.一种用于热处理腔室的设备,所述设备包括:
透明介质,所述透明介质具有截面领结结构,所述截面领结结构包括:
中心区域,所述中心区域的厚度小于周边区域的厚度;
第一表面,所述第一表面从所述中心区域线性延伸至所述周边区域;和
第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且所述第二表面从所述中心区域线性延伸至所述周边区域,使得所述第一表面与所述第二表面沿所述透明介质的水平面对称;
反射性涂层,所述反射性涂层设置在所述第一表面或所述第二表面的至少一个上;和
折射率匹配材料,所述折射率匹配材料设置在所述反射性涂层上、邻近于所述第一表面或所述第二表面的至少一个。
13.如权利要求12所述的设备,其中所述透明介质包括石英。
14.如权利要求12所述的设备,其中所述反射性涂层设置在所述透明介质的所述第一表面和所述透明介质的所述第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对。
15.如权利要求12所述的设备,进一步包括:
吸收性涂层,所述吸收性涂层设置在所述周边区域上。
16.如权利要求12所述的设备,其中所述反射性涂层包括介电材料。
17.如权利要求16所述的设备,其中所述反射性涂层经选择以反射在700nm至1000nm之间的预定范围的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





