[发明专利]新型电容式触摸屏在审
申请号: | 201810277413.2 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108536339A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 翁启山;林玉辉;郑秋霞 | 申请(专利权)人: | 福建科创光电有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 351100 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明电极 基板 触摸屏 消影层 新型电容 电容触摸屏 单层结构 光透过率 视觉效果 反射光 刻痕 增透 | ||
本发明公开了一种新型电容式触摸屏,其包括基板、第一消影层和透明电极。其中,所述透明电极位于所述基板之上,所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。本发明通过在电容触摸屏的基板上布置单层结构的具有增透功能的第一消影层,降低了透明电极蚀刻痕的反射光,并能提高光透过率,从而改善触摸屏的视觉效果。
技术领域
本发明涉及电容感应触摸屏,尤其涉及新型电容式触摸屏。
背景技术
触摸屏作为人机交互的一种,是一种透明的输入系统,通过使用者手指触摸触控面板来实现操作。如今,随着触摸屏行业发展的越来越强大,人们对触摸屏的追求也会更高。现有的触摸屏一般包括基板和其上的透明电极,其中的透明电极通常为氧化铟锡ITO材料,通过生产工艺(例如蚀刻)处理氧化铟锡ITO膜层形成ITO透明电路图案,但是蚀刻痕的存在影响了电容触摸屏视觉效果。
为改善视觉效果,传统的做法是在基板与ITO透明电极间加一层消影层。但随着当今显示技术的发展,人们对品质的要求也随之增加,一些产品仅通过一层消影层已不能满足人们对触摸屏视觉效果的要求。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种新型电容式触摸屏,不但实现对蚀刻痕消影,并能提高电容触摸屏的光透过率。
发明内容
为实现上述目的,本发明在一个较佳的实施例中,提供了一种新型电容式触摸屏,其包括基板、第一消影层和透明电极,所述透明电极位于所述基板之上,所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。
进一步地,所述第一消影层的折射率n为1.7~2.2;所述第一消影层的厚度t=(2k+1)×λ/4n,其中, 波长λ=550nm,k为大于等于0的整数。
进一步地,厚度t的范围为5~3300 nm。
进一步地,所述第一消影层的材料为水胶。
进一步地,所述电容触摸屏还包括第二消影层,所述第二消影层位于所述基板和所述透明电极之间,并在所述第一消影层之下。
进一步地,所述第二消影层的折射率为1.7~2.2,厚度为3~500nm。
进一步地,所述消影层的材料为二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌、硫化锌、三氧化二钇和二氧化锆中的一个或多个。
本发明在其他较佳的实施例中,还提供了一种新型电容式触摸屏,所述基板上具有二氧化硅层,所述第一消影层位于所述二氧化硅层和所述透明电极之上;所述第一消影层的折射率n为1.7~2.2,厚度t=(2k+1)×λ/4n,其中,波长λ=550nm,k为大于等于0的整数。
进一步地,所述二氧化硅层的厚度为3-50nm。
进一步地,厚度t的范围为5~3300 nm。
进一步地,所述电容触摸屏还包括第二消影层,所述第二消影层位于所述二氧化硅层和所述透明电极之间,并在所述第一消影层之下。
进一步地,所述第二消影层的折射率为1.7~2.2,厚度为3~500nm。
进一步地,所述透明电极层的材料是ITO、AZO、银纳米线、石墨烯、碳纳米管中的一个或多个。
由此可见,本发明的增透的电容触摸屏在其基板和透明电极之上具有一层单层结构的消影层(第一消影层),完全覆盖了所述透明电极且填充透明电极的刻蚀痕,由于其折射率选取为与透明电极相当,从而能够减小有刻蚀痕位置与透明电极之间的光透射率差值,其不但削弱了透明电极刻蚀痕对视觉的影响,并能够增加电容触摸屏的光透过率;另外,额外布置在基板和透明电极之上的消影层(第二消影层),达到进一步的消影作用。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
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