[发明专利]温度控制装置有效
| 申请号： | 201810277221.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110323150B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王邵玉;陶洪建 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 控制 装置 | ||
1.一种温度控制装置，其特征在于，所述温度控制装置包括：基座、位于所述基座内的水路和气路；所述基座的一承载面上具有多个孔洞，所述气路通过所述孔洞在所述承载面上形成气浮层；所述水路对所述气路进行热交换；所述水路部分向上凸起，所述气路部分向下凸起，并且所述水路的凸起部分与所述气路的凸起部分相互交错。
2.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述基座上开有通孔，靠近所述通孔位置的孔洞的密度大于远离所述通孔位置的孔洞的密度。
3.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述气浮层的厚度为15微米到22微米。
4.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述水路存储有冷却水，所述冷却水对所述气路进行热交换。
5.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述气路包括多条子气路，多条所述子气路的入口分别设置在所述基座的外侧壁上。
6.如权利要求5所述的温度控制装置，其特征在于，所述水路包括多条子水路，所述子水路和所述子气路一一对应，多条所述子水路的入口分别设置在所述基座的外侧壁上。
7.如权利要求6所述的温度控制装置，其特征在于，所述温度装置还包括多个气密件，一条所述子气路通过一个所述气密件密封。
8.如权利要求6所述的温度控制装置，其特征在于，所述温度装置还包括多个水密件，一条所述子水路通过一个所述水密件密封。
9.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温度控制装置还包括温度传感器，所述温度传感器分布于所述基座的承载面上，所述温度传感器用以感测放置在所述基座承载面上的硅片的温度。
10.如权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述基座呈圆盘形状，所述基座的厚度小于或等于30mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
