[发明专利]一种抗PID光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种抗PID光伏电池的制备方法，所述电池从上至下分别为钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET背板和铝合金边框；所述的钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET按从上而下的顺序依次铺设层层叠压，并通过所述的铝合金边框组装在一起，其特征在于：电池片表面采用PECVD方法镀SiO₂薄膜作为减反射膜，制备方法包括以下步骤：

(1)装片：将检查合格的石墨舟按照规定方向要求放置在推车上，并将经清洗干净的硅片装在石墨舟两面，仔细检查硅片是否有倾斜或重片；

(2)进舟：将推车按照规定方向推入PECVD设备装载区中，并安装好；

(3)抽空：将设备装载区抽真空至5×10^-3Pa，并持续监测腔内压力；

(4)升温：加热设备装载区，使温度达到工艺要求的温度400℃，并保持该温度直至工艺结束；

(5)检漏：利用专业的腔体检漏工具检查装载区漏率；

(6)充氮：在装载区内充入氮气，保证腔内无空气残留，使真空度降至0.3MPa；

(7)抽空：重复步骤(3)；

(8)预淀积：先往装载区内通入NH₃进行预清洗，再通入SiH₄气体，NH₃与SiH₄的气体流量比为4：3，使之在硅片表面预先形成一层氮化硅薄膜层；

(9)抽空：重复步骤(3)；

(10)镀抗PID薄膜层：设置PECVD射频功率为4000W,往装载区内通入N₂O和SiH₄两种气体的流量分别为1300sccm和700sccm，控制腔内压强为1700mTiorr，脉冲时间为5|50ms，使通入的气体同时在硅片表面生成SiO₂和氮化硅薄膜层；

(11)抽空：重复步骤(3)；

(12)分步淀积：重复多次步骤(10)和步骤(11)，直到达到所需的薄膜层厚度，最后以步骤(11)结束；

(13)充氮：重复步骤(6)；

(14)结束工艺：按照设备使用规定进行退舟，取片，清洗，检查合格率。

2.根据权利要求3所述的一种抗PID光伏电池的制备方法，其特征在于：在原PECVD设备上增加一路N₂O管路，升级原控制系统策略，并通过阀门、流量计和控制系统控制N₂O通入顺序、时间和速度。

3.根据权利要求3所述的一种抗PID光伏电池的制备方法，其特征在于：在上述的镀抗PID薄膜层工序内同时通入SiH₄和N₂O气体，同时生成氮化硅和SiO₂薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种抗PID光伏电池的制备方法，其特征在于：SiH₄气体通入时间和流量根据N₂O气体通入时间和流量来决定。

5.根据权利要求3所述的一种抗PID光伏电池的制备方法，其特征在于：射频功率最佳范围为3500～4500W；沉积温度最佳范围为350～450℃；上述的装载区腔内压强最佳范围为1600～1800mTiorr；气体流量最佳配比范围为：SiH₄ 600～800sccm，N₂O 1200～1400sccm；脉冲时间最佳范围为5|45～5|55ms；镀膜时间根据实际所需的薄膜层厚度决定。