[发明专利]一种液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制备方法

说明书

本申请公开了一种液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制备方法，所述液晶显示面板通过在第一绝缘层中设置多个凹陷区，并将像素电极设置于所述凹陷区中，使得像素电极在像素区域中的可设置区域有了较大的扩展，这样首先可以使得具有高分辨率和高像素开口率的液晶显示面板的设计难度降低；其次可以在每个像素区域中设计面积更大的像素电极以提升液晶显示面板的穿透率；最后，由于所述第一绝缘层中位于所述凹陷区周缘的突起的存在，使得像素电极与相邻像素区域的像素电极形成耦合电容的可能性降低，从而降低了液晶混乱区的出现的可能，进而提升了所述液晶显示面板的对比度。

技术领域

本申请涉及显示器件技术领域，更具体地说，涉及一种液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制备方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用越来越广泛。液晶显示面板作为目前制备工艺较为成熟的一种显示面板，以其较低的成本、良好的制备良率以及较好的显示效果占据了显示面板领域的大量市场。

随着用户对于液晶显示面板的显示效果的要求不断提高，不断提升显示面板的分辨率和对比度成为相关领域研究人员的努力方向，但是随着液晶显示面板的分辨率的提升，在液晶显示面板尺寸无法无限扩大的情况下，液晶显示面板的PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素数)也必然随之提升，这就要求液晶显示面板的单个像素必然越做越小。参考图1和图2，图1为现有技术中的液晶显示面板的像素的俯视结构示意图，图2为沿图1中的AA’线的剖面结构示意图；液晶显示面板中交叉设置的栅极线GateLine和数据线DataLine限定出多个像素区域，在像素区域中设置有像素电极，该像素电极包括多个沿数据线延伸的第一电极PITO1和连接多个第一电极PITO1的一个第二电极PITO2，该第二电极PITO2通过像素电极朝向衬底Base一侧的有机绝缘层OC过孔OCH 实现与该像素区域中的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)的电连接，在图2中还示出了第一绝缘层PV1、第二绝缘层PV2、薄膜晶体管的栅极Gate、栅绝缘层GI、有源层ACT、源极S、漏极和公共电极Com-ITO；在液晶显示面板的工作过程中，像素电极的第一电极PITO1与液晶显示面板的公共电极 Com-ITO形成控制电场，用于控制像素区域上方的液晶的翻转。

但是由于液晶显示面板的PPI的提升，单个像素区域的大小也被大大压缩，这就使得在像素区域中设置第一电极PITO1的数量在满足液晶显示面板的穿透率要求的基础上，位于像素区域边缘的第一电极PITO1会和相邻像素区域中的第一电极PITO1形成耦合电容，耦合电容之间的电场会对相邻像素区域中的液晶造成影响，被耦合电容影响的像素区域称之为液晶混乱区，由于耦合电容对液晶混乱区的液晶的不良影响，使得像素电极对液晶混乱区中的液晶控制能力下降，不仅容易使得液晶显示面板出现串色现象和漏光现象，而且降低了液晶显示面板的对比度。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制备方法，以实现降低由于像素电极与相邻像素区域中的像素电极形成耦合电容而导致液晶混乱区出现的可能，从而实现降低液晶显示面板出现串色现象和漏光现象的可能，提升液晶显示面板的对比度。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种液晶显示面板，包括：

衬底；

阵列基板；所述阵列基板包括位于所述衬底表面的像素驱动膜层，位于所述像素驱动膜层背离所述衬底一侧的第一绝缘层；所述第一绝缘层中设置有多个凹陷区；

多条数据线和多条栅极线限定出多个像素区域，每个所述凹陷区与所述像素区域至少部分交叠；

位于所述第一绝缘层背离所述衬底一侧表面的多个像素电极，所述像素电极在所述衬底上的正投影位于第一预设区域中，所述第一预设区域为所述像素区域在所述衬底上的正投影与所述凹陷区在所述衬底上的正投影的重叠区域。

一种显示装置包括上述的液晶显示面板。